请教工艺角中的SF和FS

wswy

真是贫嘴啊，啥叫抬杠，在这里就可以见识到了。说了半天，都是纸上谈兵，根本问题一点没解决。

kwankwaner

回复 20# hszgl

    1、“改变浓度就可以改变电阻率，所以不需要通过改变迁移率来改变电阻率。”这句话有问题么？有问题，所以和之前的句子没有因果性
    2、你举的例子，掺1和掺100，浓度上就有两个数量级的变化，电阻率是变大还是变小？迁移率是变大还是变小？对你所谓的“导电性”（非常不专业的一个词）的影响是浓度占主导还是迁移率占主导？电导率就是表征其导电性的指标，怎么叫做不专业?给你掰开了写叫不专业，写的专业你又跟我搞混淆概念！你最好把话说清楚
    3、看不见我写的“重掺条件下”这几个字么？服了，难道掺杂对其影响是非单调的？如果你认为是，你好好读书，如果你说不是，那么你说重掺杂条件下和轻掺杂条件下会造成相反的影响吗
    到底是我的思路有问题还是你的阅读能力有问题？你的思路和阅读能力有问题
   实在受不了你毫无逻辑的回帖，就简单就你这句话来说吧
   " 这种话都能说出来，和你解释你还强词夺理。考虑一下极端情况，电子的迁移率降到极低都走不动了，空穴还能跑的飞快？"
   我就问你，N管考虑的是p衬的掺杂，P管看的是Nwell的掺杂，考虑一下你说的极端但实际不会发生的情况，p衬重掺杂，nwell轻掺杂，那么会发生什么，电子迁移率是不是变低，空穴迁移率是不是变高？

hszgl

回复 22# kwankwaner


    混淆概念？你自己看不清楚，把我说的“导电特性”篡改为“导电性”。半导体物理里哪本书里用“导电性”这个词了？
    轻掺条件下迁移率变化极小，可以忽略不计，重掺条件下会明显改变迁移率，我以为我在前面说过了你会看的进去，你是不是一定要纠结我省略了“明显”两个字？恭喜你，你已经成功的把原理辩论转移到语言和逻辑攻击上，你赢了。
    既然你坚持强词夺理，那么我只好放弃解释了。
    最后请你思考一个问题，浓度和迁移率的关系是正比还是反比？和Vth的关系是正比还是反比？你的表格中Vth和u0是正比还是反比？考虑考虑？呵呵。
    千万别把模型当物理原理啊，亲！

    脏字已编辑掉了。还请各位大侠别太责备小弟。

kwankwaner

回复 23# hszgl


    既然你出言不逊，还把污言秽语挂在嘴边，我想就只能不留情面直接打脸了

     你说“混淆概念？你自己看不清楚，把我说的“导电特性”篡改为“导电性”，还jb胡扯。半导体物理里哪本书里用“导电性”这个词了？”
      请去看《半导体物理学》（刘恩科著）第四章的标题，疼吗？好好读书好吗

      鉴于你一被我指出错误就避而不谈我就简要打脸好了，我们争论的点就是你这句“迁移率是反着变？另外载流子迁移率和浓度的关系是什么？请复习半导体物理，谢谢。”“另外，关于迁移率，N型载流子和P型载流子的变化是同趋势的。且在mos管的掺杂层面还不至于做到浓度影响迁移率的程度。”现在我把之前懒得上的图给你上了如下所示，请你好好看看FNSP，SNFP中迁移率变化是不是相反的

我已经提醒你了Psub和nwell的掺杂相对tt的值可能是相反的会造成迁移率向相反方向变化，而你却不予理睬坚持自己的错误。还反复问我掺杂浓度和迁移率是正比还是反比。我严谨的回答你，既不是正比也不是反比，只能说掺杂越高，迁移率越低。我不明白你一直问我这种问题的原因和我们讨论的问题有任何关系吗，我反复跟你说这是相对增加或者减少，你却充耳不闻在错误的认识上越走越远，还动不动就让别人复习什么的，红字打脸。你说你是做工艺的，上过生产线吗？在那个fab？还是说在读书？哪个学校的？不介意说出来的吧？

wfcawy

回复 1# 长路漫漫


    A common practice to do SF and FS simulation as higher sensitive corners is the level shifter.

since the Nmos the driving cell and the Pmos is the latching cell, we need to make sure the nmos is strong enough to drive the pmos, so SF is usually the WST case.

hszgl

回复 24# kwankwaner


     “jb”是口头，改不掉，不代表态度，污染阁下视听了，不好意思。
     多谢打脸，你不打脸我就不会重视，不重视就不会去翻书，翻了书发现刘恩科同志也不同意我说的，我表示自行掌嘴。不过貌似老刘在标题以后，再也没出现过这个词了么。为什么？我原来是想写“用'导电性'这个词来描述材料特性”，既然自己脑残删掉了，我认栽。

     亲，我说的反比是广义上的反比，不是反比函数的反比，别那么字字珠玑好么？既然你说了掺杂越多 迁移率 越低。那么请问，掺杂越多，Vth是变高还是变低呢？现在表上迁移率变高的同时Vth减小，请问是掺杂多了还是掺杂少了？你U0对浓度敏感基本上要到掺10^18cm^-3以上，沟道里是多少？都没好好考虑过我问的问题，就来有意义没意义的，亲，不动脑子就开口是最没意义的，就像我口出秽语一样，一点意义都没有。

     亲，别把模型当物理原理了，我就知道你会把两张表贴上来给我看，就是典型的把现象当原因，把儿子当爹，做工程的脱离理论久了都容易犯这个错误。模型是为了拟合曲线而进行的数学处理，虽然基于一定的物理原理，但还是会为了拟合而校正参数。U0变不变，建模型的人可以根据具体的情况的考虑，目的不过是为了让模型拟合的更准确。我贴的表上根本没有把U0当变量，你又怎么解释？难道T家的人都是废物？
     通过调节杂质浓度来改变沟道内载流子迁移率是徒劳的，在沟道里，1个量级的浓度变化引起了多少迁移率的变化？老刘书上有写，烦请自行查阅。
      至于动不动就查户口的，我就懒得奉陪了。我是哪的之前在论坛里说过，您老确实有心，自己翻吧。

kwankwaner

回复 26# hszgl


    胡搅蛮缠也要有个度，这次你说的甚至有些不知所云了，净举一些正确的说法，然后没有因果的得出你错误的结论。下面再打几次脸，望你想好再说话

    公司里的不好弄，弄上来也涉及版权，就用网上公开的资料吧
    这个是某大学课程链接http://www.ee.columbia.edu/~kinget/EE6314_F05/project_anu/ee6314/F05/TSMC018_teaching.scs
    大学名字不用我说了，可以看到。这个是他提供的t018的工艺文件
    摘抄其中几段：
    * 6/ process variations are modeled by varying:
    * - CJ and CJSW                changes junction caps
    * - TOX                        changes cox
    * - VT0 changes on currents
    * - U0                        changes on currents    注意看，你在12L说“施主受主杂质都主要以替位形势存在，只有当掺杂多到不得不形成大量间隙杂质的时候才会明显的影响迁移率。浓度对迁移率的影响很有限。”你在23L说“ 轻掺条件下迁移率变化极小，可以忽略不计，重掺条件下会明显改变迁移率”我知道你是看了课本知道的，但你没有实际接触过工艺控制，所以不知道实际的工艺掺杂在什么地方，另外这个变化率极小到底是什么量级，现在这里告诉你，实际掺杂的浓度会对U0造成影响，究竟多少，我贴的U的有，这个T的下面也有。

下面是各个工艺角的参数，我们那ss和ff来看，看到u0n/p了吧，ff是在tt基础上加，ss是在tt基础上减，幅度是多少？可以看到是+-10%哦，现在你还说“浓度对迁移率的影响很有限”吗，现在告诉你不光T，哪个fab都要关注掺杂对u0的变化，因为u0是spicemodel的基本参数。你说“ 通过调节杂质浓度来改变沟道内载流子迁移率是徒劳的，在沟道里，1个量级的浓度变化引起了多少迁移率的变化？老刘书上有写，烦请自行查阅。” 别总让别人查书好吗，先自己读读书读读资料查查网络，现在你告诉我，迁移率+-10%的变化工艺厂是怎么搞出来的哦。
library tsmclib
section tt
parameters pctvariation = 0
parameters toxn = 4.1E-9
parameters toxp = 4.1E-9
parameters cjn = 9.840057E-4
parameters cjp = 1.165397E-3
parameters cjswn = 2.405513E-10
parameters cjswp = 2.042242E-10
parameters u0n = 262.117234
parameters u0p = 112.30168
parameters vth0n = 0.362587
parameters vth0p = -0.3881948
include "TSMC018_teaching.scs" section=mos
endsection tt

section ff
parameters pctvariation = 5
parameters toxn = 4.1E-9*(1 - pctvariation/100)
parameters toxp = 4.1E-9*(1 - pctvariation/100)
parameters cjn = 9.840057E-4*(1 - pctvariation/100)
parameters cjp = 1.165397E-3*(1 - pctvariation/100)
parameters cjswn = 2.405513E-10*(1 - pctvariation/100)
parameters cjswp = 2.042242E-10*(1 - pctvariation/100)
parameters u0n = 262.117234*(1 + 2*pctvariation/100)
parameters u0p = 112.30168*(1 + 2*pctvariation/100)
parameters vth0n = 0.362587-0.1
parameters vth0p = -0.3881948+0.1
include "TSMC018_teaching.scs" section=mos
endsection ff

section ss
parameters pctvariation = 5
parameters toxn = 4.1E-9*(1 + pctvariation/100)
parameters toxp = 4.1E-9*(1 + pctvariation/100)
parameters cjn = 9.840057E-4*(1 + pctvariation/100)
parameters cjp = 1.165397E-3*(1 + pctvariation/100)
parameters cjswn = 2.405513E-10*(1 + pctvariation/100)
parameters cjswp = 2.042242E-10*(1 + pctvariation/100)
parameters u0n = 262.117234*(1 - 2*pctvariation/100)
parameters u0p = 112.30168*(1 - 2*pctvariation/100)
parameters vth0n = 0.362587+0.1
parameters vth0p = -0.3881948-0.1
include "TSMC018_teaching.scs" section=mos
endsection ss


最后贴一下黄昆的半导体物理第一章节选，打你在23L和26L说的“ 混淆概念？你自己看不清楚，把我说的“导电特性”篡改为“导电性”，还jb胡扯。半导体物理里哪本书里用“导电性”这个词了？”“多谢打脸，你不打脸我就不会重视，不重视就不会去翻书，翻了书发现刘恩科同志也不同意我说的，我表示自行掌嘴。不过貌似老刘在标题以后，再也没出现过这个词了么。为什么？”

jiang_shuguo

回复 25# wfcawy


    我给你补充个，还有施密特等类似利用到P,Nmos 阈值特性的模块或者电路。

hszgl

回复 27# kwankwaner


    还是用模型解释物理，完全扭不过来。我能说什么呢？“孺子不可教也”？不对，应该是你的人格过度成熟导致无法接受对已形成一定时期的认知的改变，甚至会对这种改变抱有敌意。

    亲，你怎么不试试先告诉我掺杂浓度变化了多少？能引起了多少迁移率的变化？

    模型中TT的数据是测量后统计平均的。请问Corner是怎么来的？你应该不会认为直接从晶圆测量出来的吧？我想你测过晶圆上的工艺分布情况吧？麻烦你描述一下是什么形状好么？同一个cassette里的分布一样么？
    我贴的T没有U0，这个T的是.35的，你的贴的T家的有，是.18的。你有没有看到我说的 “U0变不变，建模型的人可以根据具体的情况的考虑，目的不过是为了让模型拟合的更准确。”？又选择性失明？迁移率的±10%是不可控量，在10^15的浓度下，高出差不多一个量级的浓度变化才能改变1个单位的迁移率，这就是我说的“影响有限”，难道这些fab的浓度不可控性要达到±50%？你还敢让fab干活？

     “但你没有实际接触过工艺控制，所以不知道实际的工艺掺杂在什么地方，”哈哈，你知道掺杂在什么地方？求求你告诉我好吗？要不让我猜猜，MOS管的模型里的迁移率一定是从Poly2上提取出来的，一定是的。。。
     好吧这个笑话太冷了。我还是拜托请你想想沟道是什么情况，你想在沟道做重掺杂？做电容是挺合适的。

     影响迁移率的只有杂质浓度么，亲？我不是让你回去复习半导体物理了么？晶格你知道的吧？应力你知道的吧？缺陷你知道的吧？能想明白为什么0.18工艺考虑了u0，0.35没考虑么？这是因为尺寸缩小让沟道内的平均迁移率对局域晶格常数更敏感。晶圆本身就不是均匀的，亲；SiO2虽然是非晶但是对Si依然是有应力的，亲；离子注入还是比较容易形成缺陷的，亲；这些才是工艺的不可控性啊。Corner是为了考虑工艺不可控性而存在的，你怎么就知道个掺杂啊，亲？呵呵，这个问题我和你提了两三遍了，我本来想通过展示Vth和U0的关系引导你自己想到这个问题的答案，你居然说我的问题毫无意义，唉。。。你要我说什么好~~

    最后，关于“导电性”，我已经自行掌嘴了。不过，你干嘛不把我说的“我原来是想写“用'导电性'这个词来描述材料特性”，既然自己脑残删掉了，我认栽。”这句话一起贴出来？避重就轻？混淆视听？还是看漏了？
    我说刘恩科老人家在后文中没有再用“导电性”这个词，你扯黄老的书是嘛意思？穿越了？就算你扯黄老的书，黄老也是在开头用的这个词来引入进一步的概念，在后文中出现了么？为啥他俩都用在开头？这个问题我问过你，可你压根没当回事吧。这些是教材啊，亲，是给半导体入门的人用的基础教材啊亲。“导电性”是个普适概念，只能用来笼统的描述“好”和“坏”，放在开头可以给非专业的人士引入专业的概念，这是叫专业词汇？再说你见过有谁说“某某材料的导电性是xxxx（鬼也不知道的单位）”这样的话？你这样说话么？

    亲，我一直在和你解释的u0这么大变化不是浓度掺杂引起的。请回顾下你在争辩什么？你把模型贴上来说u0会变，也罢，所以就推出u0变化是由且仅由浓度引起？你自己看看你说的对么？请问你是在打我脸么，亲？我怎么只听到半空中啪啪的响，现在已经是冬天了，你不是在打蚊子吧？

    平心而论，虽然你不太听进的别人的话，但总体上你还不错。

    Anyway, 我这都是在胡搅蛮缠，你大可不必理会我

hszgl

回复 28# jiang_shuguo


    确实，迟滞区间对阈值很敏感。SS和FF通常只是造成区间平移，但SF和FS则会改变区间大小。