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楼主: 长路漫漫

[讨论] 请教工艺角中的SF和FS

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发表于 2013-12-2 19:41:27 | 显示全部楼层
本帖最后由 fuyibin 于 2013-12-2 19:45 编辑

吵这么凶,至于么
无愁无恨的,又不是争房子争地
淡定淡定
发表于 2013-12-2 20:43:01 | 显示全部楼层
有意思,两人还越说越来劲了。一个好的工程师需要什么素质?不需要别的,只需要每次和别人说话时都坚持说你懂个啥,你回去看书去,你说的不对,然后balabala讲一大堆,这样老板和其他工程师就会仰望星空般的看着你,大牛。这种感觉真好。
发表于 2013-12-2 22:57:45 | 显示全部楼层




    随口带了两个脏字,污染论坛环境,影响阁下视听了,不好意思~
发表于 2013-12-2 22:58:14 | 显示全部楼层
本帖最后由 hszgl 于 2013-12-2 23:06 编辑

回复 32# wswy


    阁下一定是大牛,仰望啊!
发表于 2013-12-3 00:00:19 | 显示全部楼层
回复 29# hszgl


   不跟你多浪费时间,废话少说继续打脸   先贴你说的我贴的T没有U0,这个T的是.35的,你的贴的T家的有,是.18的。。。。影响迁移率的只有杂质浓度么,亲?我不是让你回去复习半导体物理了么?晶格你知道的吧?应力你知道的吧?能想明白为什么0.18工艺考虑了u0,0.35没考虑么?因为尺寸缩小让沟道内的平均迁移率对局域晶格常数更敏感。。。。唉。。。你要我说什么好~~”
    以下是打脸:1我贴的是u的.35的,考虑迁移率了
                      2 http://www.ece.unm.edu/~payman/classes/ECE523/project/hv15.l网上公开内容t035的model,你自己看各个corner有没有考虑u0的变化,你看看snfp和fnsp中n和p的u0是不是相对tt反向变化


你说再者,黄老也是在开头用的,为啥他俩都用在开头?我问过你为什么,你压根没好好想过。这些是教材啊,亲,是给刚刚开始接触半导体的人用的基础教材啊亲。
下面贴的是他在后续又讲到“导电性”的词 1.bmp ,服了,你自己都知道错了还要多说,只好再打你脸,是教材怎么了?你想表达什么?你觉得是儿童读物吗?你觉得人家几位写了书是给你启蒙科普的么?你基础教材都没好好读过,还要怎样啊,每回贴都叫别人读,然后给你讲讲是吗,你到是会偷懒哦。


另外我们两个讨论别管别人怎么说,一点定力都没有还要做研究?


还有别总亲亲的,我不搞基

发表于 2013-12-3 01:03:00 | 显示全部楼层
淡定,淡定。。。
发表于 2013-12-3 11:40:14 | 显示全部楼层
,两位大神的讨论,让我受益匪浅啊,这种讨论比较具有学习性。
发表于 2013-12-3 12:04:08 | 显示全部楼层
jishutie
发表于 2013-12-3 13:28:51 | 显示全部楼层
本帖最后由 hszgl 于 2013-12-3 13:43 编辑

回复 35# kwankwaner


    你想说明什么?我的.35工艺是假的?你怎么不看看HV15是什么意思?
    贴上来你看吧。
    0.35.png
    别扯远了,同学,注意你的论点,你说的是仅因为浓度改变造成u0的变化,所以请你拿出浓度变化的数据,并请排除其他相关的因素。
    给你一点提示,T家在这页下方已经说明了所考虑的杂质注入的不可控量在10%。

    找个词找的那么勤快,你玩《大家来找茬》的能耐一定很高。好不容易又翻到一个“导电性”这个词,让你很有成就感么?是不是要我告诉你黄老的这本书名字叫《半导体物理基础》?是不是要我说明一下你截的这一段在这本书的第一章第一节,第四页第十行,这是不是全书的开头?就算黄老和刘老的书通篇都用“导电性”这个词,和u0的变化有关系么?支持了你的论点了么?

    你搞不搞的清楚什么是重点?还是你故意转移话题焦点以掩饰你犯了很基本的错误而被我打脸了?

    模型里的u0变化和实际的u0变化的原因我都在之前的贴子里已经给你说明过了。你坚持拒绝认同,也罢,你也可以坚持认为儿子是爹,你的自由。

    把字号放这么大想说明什么?呵呵。我和其他几位看客瞎扯几句,碍着你发财了?呵呵。敢淡定点不,哥们?

    不扯了,蛋扯疼了。
发表于 2013-12-3 15:09:04 | 显示全部楼层
回复 39# hszgl


鉴于你在某些方面能力的缺失,我来帮你总结一下:
楼主问SF,FS是不是很少见,
我2L回答说不是的,
你3L说我说的有误,你观点是SF和FS只有在栅不同方向才出现(这本身是错误的观点),
我在下面给你指正SFFS不是只跟尺寸有关,掺杂会影响迁移率,
你就开始说掺杂不会影响迁移率,而且迁移率不会变的(我后面贴的表格证明你说的不对,迁移率是变化的),还贴出t的表格为证明。
我马上指出你的不对,掺杂肯定会影响迁移率,
于是你开始限定条件说在一定条件掺杂情况下迁移率不变,还开始玩一些迁移率,导电性等等概念,
我马上贴出几个工艺厂的参数证明迁移率都变了,于是你最后一个帖子开始让我找工艺厂变化掺杂浓度的证据了(这个稍微有点常识的都知道会变的,不要问我1+1为什么=2,因为真的2,也不要让我找什么工艺掺杂的参数,就像你不把你的口头禅露给别人看一样,大家都有隐私)

下面说几个逻辑问题
1首先我先提出的观点就是迁移率会变化,如果你不同意请你举出迁移率不变的例子并解释原理(你贴的表格不能算例子)
2我贴了表格证明不同工艺都有迁移率变化的参数,而你贴的是没有的例子,但是有是可以证明的,我已经给出了例子,而没有不是那么简单证明的,你要证明你没有漏掉漏看,而且还要找出所有工艺都没有才行所以你的证据根本不充分。
3你始终提炼不出你自己的观点是因为你自己根本不知道要说什么,只是一味反驳


另外我给你指出很多基本错误,比如你说工艺角的模型是方图(实际上不可能的,没看过不能代表就能乱说),再比如你说SF中的S和F的值就是SS和FF的组合(这也是错的,因为影响因素是多维的,但每个维度并不是全非相关,这也是不会出现方图的原因),然后就是你说我用词不专业(我不懂什么叫专业,我只知道专家也这么说,你自己在帖子里面也用了这个词。真不明白词语为何还有高帅富矮穷挫,也不明白你怎么界定什么叫“专业”“不专业”,如果你说不出标准就不要乱说),没理会你污言秽语,还指出了这么多错误,字标的大点也是为了让你看清楚再回帖,你自己也在贴子里面承认了,但最后还是反说我犯了很多基础错误,你可是真能作啊!
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