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楼主: thefifaman

[活动] 这个ESD VDD CLAMP电路结构是否合适?

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发表于 2018-11-2 11:22:17 | 显示全部楼层
回复 1# thefifaman


   有一片文章,很清楚的写过,3级反相器并不会更好。这个是比较早期的设计了,现在能看到的基本都是一级设计。
发表于 2019-5-8 15:08:00 | 显示全部楼层


inicetime 发表于 2017-4-6 10:48
请问楼主3级反相器的比例如何设计的,我看smic的IO三级反相器设计尺寸为:(第一级:Pmos/Nmos:100u/5u; ...


同问
发表于 2021-5-21 14:25:40 | 显示全部楼层
问一个额外的问题,信号的clamp电路和电源的clamp设计上有啥区别
发表于 2021-5-24 15:21:49 | 显示全部楼层


Tant 发表于 2021-5-21 14:25
问一个额外的问题,信号的clamp电路和电源的clamp设计上有啥区别


这个power结构是RC clamp,里面引入了RC delay
signal clamp原则上是不允许引入RC的。
发表于 2022-6-27 11:16:57 | 显示全部楼层
HBM的模型,C=100pF,R=1.5K,这个是正常的,L电感在HBM中没有,这里应该是表示bonding线的电感,按照线长和直径一般几个nH。
据说这种RC+inv+NMOS的clamp都是泄放ESD电流走MOS沟道的,所以可以仿真验证,但是GGNMOS和GCNMOS的是triger体寄生三极管放电的,单靠电路仿真验证不了,我还没有试过,有试过的大神可以讲解一下。
发表于 2022-9-27 14:32:26 | 显示全部楼层
问下楼主,图里的开关模型是抽取cdl的方法还是自己添加的网表呀?
我仿真的时候开关无法抽取cdl,(原因是开关本身是没有电路的,因此无法抽取cdl)
谢谢LZ


发表于 2024-2-28 14:19:06 | 显示全部楼层


sujh0755 发表于 2022-6-27 11:16
HBM的模型,C=100pF,R=1.5K,这个是正常的,L电感在HBM中没有,这里应该是表示bon ...


厉害
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