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楼主: candongco

[求助] MOS管栅源电压一样,为啥电流不一样? [

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 楼主| 发表于 2013-9-15 19:07:43 | 显示全部楼层
谢谢楼上所有朋友,看见和VDS还有关系,和landa系数也有关系
发表于 2013-9-16 09:47:14 | 显示全部楼层



其实简单模型里,应该是一回事,VDS通过lambda系数去影响电流。。。
发表于 2013-9-16 21:56:57 | 显示全部楼层
根据1阶模型,在饱和情况下,I=k'(W/L)*(Vgs-Vth)^2.微小的Vth变化,都可能造成I的不同。   
根据2阶模型,沟道长度调制效应(即Vds对Ids的影响)可以近似为 I'=I(λ*Vds+1)。其中λ和管子的L相关。如果L相同,Vds不同,那么I也会不同。如果L不同,在Vds相同的情况下,I也会不同。
另外在Spice模型里Vth不是一个定值,受W,L,衬底偏置等各方面的影响。
发表于 2013-9-17 21:56:46 | 显示全部楼层
回复 5# candongco


    电压裕度够的话,级联结构会好一些。还有,你需要的精度要考虑好。
发表于 2014-5-6 22:28:57 | 显示全部楼层
受教
发表于 2014-8-6 10:34:19 | 显示全部楼层
5楼正解,主要是Vds不同
发表于 2014-8-9 18:09:59 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2014-8-9 19:35:43 | 显示全部楼层
看你对匹配要求多高?用途在哪里?如果只是镜像给远放,比较器的,VDS不同有点影响无关,但是如果是用于采样电路,那就要求保证VGS, VDS都要一样,加高精度的运放。总之,模拟设计是TRADE-OFF
发表于 2015-10-15 17:05:23 | 显示全部楼层
回复 9# hszgl

请问,构成电流镜的管子必须工作的饱和区吗????
发表于 2015-10-15 18:00:21 | 显示全部楼层
回复 19# guangyi_pang


    必须。不然镜像条件不成立。
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