MOS管栅源电压一样，为啥电流不一样？ [

candongco · 发表于 2013-9-14 00:23:15

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做仿真时候，发现电流镜电流不一样
书上不是说电流源的原理是栅源电压一样，电流一样吗？
（管子都选择一样的管子）
难道还和负载有关系？

luckyhuihui666 · 发表于 2013-9-14 00:27:59

做仿真时候，发现电流镜电流不一样
书上不是说电流源的原理是栅源电压一样，电流一样吗？
（管子都选择一 ...
candongco 发表于 2013-9-14 00:23

登录/注册后可看大图

还有Vds的影响。你没有考虑沟道调制的影响。

candongco · 发表于 2013-9-14 00:29:32

那要怎么做？新手+自学，野路子啊，郁闷
请指教，谢谢了

hszgl · 发表于 2013-9-14 00:31:41

Vds Vth都有可能不同。请查看仿真文件。

candongco · 发表于 2013-9-14 00:34:28

本帖最后由 candongco 于 2013-9-14 00:35 编辑

“Vds Vth都有可能不同。请查看仿真文件。”
看过了，是不一样，Vth差点，VDS差的多
那要实现一个电流镜，必须要考虑哪些，一般的说要怎么做？
书上好像只给了电路图，原理说明下，没说很仔细啊

firevortex · 发表于 2013-9-14 02:20:50

回复 5# candongco

请认真阅读《拉扎维》的第二章，或搜索‘沟道长度调制效应’

hezudao · 发表于 2013-9-14 05:07:59

回复 5# candongco

先看看是不是都饱和，看书吧

china8894 · 发表于 2013-9-14 12:00:54

要让所有的管子都工作，才能让电流镜成功镜像电流

hszgl · 发表于 2013-9-14 19:22:08

回复 5# candongco

根据1阶模型，在饱和情况下，I=k'(W/L)*(Vgs-Vth)^2.微小的Vth变化，都可能造成I的不同。
根据2阶模型，沟道长度调制效应（即Vds对Ids的影响）可以近似为 I'=I(λ*Vds+1)。其中λ和管子的L相关。如果L相同，Vds不同，那么I也会不同。如果L不同，在Vds相同的情况下，I也会不同。
另外在Spice模型里Vth不是一个定值，受W，L，衬底偏置等各方面的影响。

好好看书，这些书上都有。

hszgl · 发表于 2013-9-14 19:28:03

回复 5# candongco

另外，不要指望电流镜可以100%成比例镜像电流。电流镜说白了就是用一个二极管接法的mos做负载，取出这个mos在特定电流且Vds=Vgs时的Vgs值。再加到需要镜像电流的mos管上。但是Vds并没有被复制。只有在一阶模型里是可以成比例的。但在实际设计中一阶模型一点用都没有，只是帮助你更好的理解mos管工作原理的一个工具。

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