bandgap中晶体管的热噪声比较大，通过什么手段能解决？

hszgl

   

回复  fuyibin


    确实，这个表述不怎么准确，Vth还受其他因素的影响。而且提高Cox也不是为了降低Vt ...
hszgl 发表于 2013-9-11 16:18

                               
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    昨天在火车上考虑了一下，觉得我的说法还是有问题。应该还是说Q=CV，更大的Cox可以让更小的V控制更多的载流子。也就是fuyibin大大说的意思。

小勺

没有这么简单，噪声大的话，也可以采用电路里面的噪声匹配方式，如果管子很大的话，

hszgl

回复 90# ygchen2


    话说昨天我在火车上没机会上论坛居然错过了你俩搞的那么激情四射的过程。。。

calm down calm down....

ygchen2

   

昨天在火车上考虑了一下，觉得我的说法还是有问题。应该还是说Q=CV，更大的Cox可以让更小的V控制 ...
hszgl 发表于 2013-9-13 22:45

                               
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如果没记错的话，fuyibin 在59# 说的应该正是最主要的high-k栅绝缘材料被引入的原因，再加上沟道注入调节Vt，以及halo注入用来减少DIBL等短沟效应（当然因此也引入了沟道很短时的反短沟效应）, 大致概括了现在用于0.13um及以下通用CMOS工艺的最主要手段。

hszgl

回复 94# ygchen2


    没错。

Huazhong_wyl

   

xuriver2012 发表于 2013-9-9 17:06
其实没有什么特别的：
1）如果是flicker noise比较大，那么增大MOS管的面积将会有明显的改善。
2）如果是热 ...

谢谢大佬的指导

analogicer

   

jiang_shuguo 发表于 2013-9-10 16:00
原理是这样的。热噪声：4KTjgm，一般j=2/3,而j是随工艺变化的，比如0.13工艺j值比0.18工艺j值的大50%
1/f  ...

除非做低压的bandgap, 例如低于1.2V的，常规的3V供电,IO器件也是3v ,管子特性还是高压特性，不怎么随工艺变啊。