capless 的LDO片内用120pF的电容算逆天么？

hszgl · 发表于 2013-6-30 21:35:37

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如题所示，所做的LDO为了满足60的环路相位裕度，放了120pf的电容。请问这种设计合理么？求大侠解救。

semico_ljj · 发表于 2013-6-30 21:54:17

还不算。只怕……

semico_ljj · 发表于 2013-6-30 21:55:31

这是你所有corner仿真后得出的结论吗？
还有你的负载全范围仿真了嘛？从没有负载到最大负载。都是稳定的？

semico_ljj · 发表于 2013-6-30 21:57:01

如果只是仿真其中一种得出这个结论，那说明还远远不够

semico_ljj · 发表于 2013-6-30 22:03:12

使用时也要注意有寄生Cap，要合理估算 LDO输出负载的寄生Cap

hszgl · 发表于 2013-6-30 22:37:20

回复 5# semico_ljj

Corner还没仿，负载范围仿了，这个是空载裕度，满载更稳定。寄生cap是要好好估算下。谢谢哈~

kakool · 发表于 2013-6-30 22:54:39

负载范围多少？

zhunairu · 发表于 2013-7-1 01:38:31

单芯片用20pF足够7.5A的负载电流，你这个太差了，没有实用性。电容面积太恐怖了。

thewolftotem · 发表于 2013-7-1 09:31:28

120pF,单位面积算5fF，24000um2. 120um*200um.

hszgl · 发表于 2013-7-1 09:53:20

回复 8# zhunairu

刚开始学LDO，这位大侠有么有20pF例子供小弟参考参考？

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[求助] capless 的LDO片内用120pF的电容算逆天么？