capless 的LDO片内用120pF的电容算逆天么？

hszgl · 发表于 2013-7-1 09:59:20

回复 9# thewolftotem

是420um*400um。。。。

jiang_shuguo · 发表于 2013-7-1 12:01:51

都够一个LDO大小了，超神了。

hszgl · 发表于 2013-7-1 12:14:07

回复 12# jiang_shuguo

其实我见过100pf的例子。
电容比LDO大的多的例子比较多。

daodai · 发表于 2013-7-1 12:15:45

啥叫合理啥叫不合理我觉得和你的标准有关系没有reference 就没有合理不合理的结论

hszgl · 发表于 2013-7-1 12:19:27

回复 14# daodai

参考标准就是“通常”如何设计。毕竟我接触的少，很多方面了解不够。

jiang_shuguo · 发表于 2013-7-1 13:40:04

回复 13# hszgl

做IP对面积上的成本，要求低。

扑火 · 发表于 2013-7-1 14:02:33

不一定非得保证60度以上，45度左右就够了。

semico_ljj · 发表于 2013-7-1 14:18:03

你的LDO 对多大规模的数字供电？是1.8V还是1.2V？

jamesccp · 发表于 2013-7-1 15:37:26

回复 8# zhunairu

20pF 就能搞 7A电流，太强悍了。可否介绍一下？

hszgl · 发表于 2013-7-1 15:52:17

回复 18# semico_ljj

4V输出。不是多大规模的数字电路，是个buffer。

[求助] capless 的LDO片内用120pF的电容算逆天么？