帮你直观理解速度饱和效应

sherrydefaulter · 发表于 2022-4-19 19:09:26

April1999 发表于 2021-7-30 18:19
有个问题，过驱动电压小于80mv为弱反型区。，100mv-400mv为强反型区，大于400mv为速度饱和区，这个判断适用 ...

80mv与尺寸和工艺无关，400mv与L成正比，这些都是估算值

piao · 发表于 2022-5-24 00:24:12

many thanks

CR400BF-BZ · 发表于 2023-9-4 09:47:21

一般来说，饱和场强在10^5V/cm量级，而深亚微米工艺的电压典型值为1V，这样算出来，在沟道长度在起码100nm的时候就已经进入速度饱和了，此时的MOS管饱和区的跨导应当是一个恒定值，但甚至在28nm下仿真得到的gm仍然是可随电流变化，这个如何理解呢

xya81for23 · 发表于 2023-9-24 22:23:47

学习学习

ZXY2002 · 发表于 2024-9-9 09:54:01

研究生笑笑发表于 2015-12-25 17:49
一直不了解为什么Vgs-Vth是横向电场，它不应该是纵向的吗，源端和衬底连接，Vgs不就是多晶硅-氧化层-硅上的 ...

我也是这么理解的

Pine1 · 发表于 2025-5-15 20:18:18

谢谢

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