帮你直观理解速度饱和效应

jxjxhwx · 发表于 2013-6-16 14:48:52

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hszgl · 发表于 2013-6-16 15:05:41

可能大多数人习惯于用VGS的进行理解。
其实这里真正起作用的是VGD。栅极和漏极之间的压差增大，漏与衬底之间的耗尽区增加。沟道截止点到漏区的压差VDS-VGS+VTH=-(VGD-VTH)。而根据PN结的基本性质，内建电场是由材料的能带结构决定的。所以截止点到漏区的长度L'=(VGD-VTH)/Eg。
反推回去，就可以得到VGS与Leff成正比的结论。

liuqilong8819 · 发表于 2013-6-16 17:26:09

楼主的图是在哪里得到的呢？想看看书上的叙述。

xinleiye · 发表于 2014-6-8 22:17:43

受教了，这种理解真是大大简化了积分求电流的计算

自学成菜 · 发表于 2014-6-8 22:29:59

回复 3# jxjxhwx
求return to innocence 的博客地址

semico_ljj · 发表于 2014-6-8 22:37:41

nicer。。。

jiang_shuguo · 发表于 2014-6-9 10:26:24

你把这个与VDS高压产生的热电子导致漏源穿通效应结合下就更好了。可以给很多人扫盲解惑。当然这些东西课本上都有。

moveforward · 发表于 2014-12-16 13:20:34

同求return to innocence 的博客地址

lljdevin · 发表于 2015-4-9 15:36:53

求return to innocence 的博客地址

whxijinping · 发表于 2015-4-9 19:35:40

顶以下，不错

jxjxhwx jxjxhwx 当前离线积分 21483 头像被屏蔽	发表于 2013-6-16 14:48:52 \| 显示全部楼层提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
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