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楼主: JoyShockley

[原创] 帮你直观理解速度饱和效应

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发表于 2017-3-26 07:14:52 | 显示全部楼层
学习学习
发表于 2017-9-25 09:42:13 | 显示全部楼层
厉害,,,,,
发表于 2017-12-2 15:29:33 | 显示全部楼层
voocity saturation
发表于 2019-5-25 19:27:28 | 显示全部楼层
一直不明白Vgs-Vth<0和管子是否工作在饱和区有关系吗?
发表于 2019-5-26 15:54:43 | 显示全部楼层
请问,怎么算出400mv以上就是速度饱和?
从你的图上看,N: Electrical field 60000V/cm = 60V/um=600mv/10nm   
你用的short channel 是多少?
P 还要大4倍....
发表于 2020-5-28 13:48:25 | 显示全部楼层
你好,关于“速度饱和效应主要是因为Vgs-Vth太大了,前提是管子工作在saturation区域(vds>vgs-vth)”,我想问一下,为什么一定是在vds>vgs-vth区域呢?如果横向电场足够大以至于在沟道夹断之前就已经速度饱和了,这种情况是不是也存在呢?
发表于 2020-5-28 15:14:36 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2021-5-6 14:59:58 | 显示全部楼层
學習了 謝謝~
发表于 2021-7-27 17:19:11 | 显示全部楼层
O(∩_∩)O谢谢
发表于 2021-7-29 18:33:55 | 显示全部楼层
楼主是按Vds>Vgs-Vth,MOS管出现沟道夹断的假设来描述速度饱和,但是,即使MOS管不出现夹断,即工作在线性区,也可能出现速度饱和,此时电流饱和,楼主如何看
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