帮你直观理解速度饱和效应

April1999 · 发表于 2021-7-30 18:19:33

有个问题，过驱动电压小于80mv为弱反型区。，100mv-400mv为强反型区，大于400mv为速度饱和区，这个判断适用于任何工艺吗？和管子的具体尺寸又有没有关系呢？

此系封 · 发表于 2021-8-2 08:48:29

jxjxhwx 发表于 2013-6-16 11:56
你可以写写关于你对晶体管级电路的一些直观理解，我记得一起去年你推荐过一个return to innocence的牛人写 ...

能分享出一下这个牛人的博客吗？谢谢！

此系封 · 发表于 2021-9-18 08:45:00

楼主出品，必属精品。

shang89 · 发表于 2021-10-2 13:35:17

谢谢分享

y_potato · 发表于 2022-4-1 13:40:49

perfectguo 发表于 2020-5-28 13:48
你好，关于“速度饱和效应主要是因为Vgs-Vth太大了，前提是管子工作在saturation区域(vds>vgs-vth)”，我想 ...

感觉有可能，老哥后来有论证吗

sherrydefaulter · 发表于 2022-4-9 13:09:20

yxxjtu 发表于 2021-7-29 18:33
楼主是按Vds>Vgs-Vth，MOS管出现沟道夹断的假设来描述速度饱和，但是，即使MOS管不出现夹断，即工作在线性 ...

速度会饱和，电流还会随VGS-VTH的增大而增大

sherrydefaulter · 发表于 2022-4-9 13:19:42

perfectguo 发表于 2020-5-28 13:48
你好，关于“速度饱和效应主要是因为Vgs-Vth太大了，前提是管子工作在saturation区域(vds>vgs-vth)”，我想 ...

这种情况存在的。但是继续增大VDS，IDS会随之增大，直到进入饱和区

敬山一休 · 发表于 2022-4-11 13:45:11

我的理解就是电子在电场作用下速度不是无限大的，那么如果电场如果足够大的话就会进入速度饱和

Starspark · 发表于 2022-4-19 10:49:57

sherrydefaulter 发表于 2022-4-9 13:19
这种情况存在的。但是继续增大VDS，IDS会随之增大，直到进入饱和区

根据公式来看，IDC=Qch*vch，那么在线性区下的速度饱和，VGS不变，Q不变，vch已经饱和也不变，为什么电流会随着VDS的增大而增大呢

sherrydefaulter · 发表于 2022-4-19 18:52:16

Starspark 发表于 2022-4-19 10:49
根据公式来看，IDC=Qch*vch，那么在线性区下的速度饱和，VGS不变，Q不变，vch已经饱和也不变，为什么电流 ...

借楼主的图，当线性区发生速度饱和时，沟道未夹断，因此沟道电荷平均密度Qch是与VDS相关的，Qch=(VDS-VTH)*Cox*W*1/2。因此电流会随VDS增大，直到沟道夹断，QCH=(VGS-VTH)*Cox*W*1/2,电流保持不变

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