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[原创] p管做在deep nwell里 跟直接做在nwell里有区别吗

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发表于 2013-5-30 15:09:53 | 显示全部楼层 |阅读模式

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请问   p管做在deep nwell里 跟直接做在nwell里有区别吗?
  deep nwell的埋层 是怎么做的呢?
  有可能deep nwell先用离子注入做埋层 这样子做在deepnwell里的nwell的浓度就会比单独的nwell浓度高些?

求高手指点!
发表于 2013-5-30 18:34:30 | 显示全部楼层
deep nwell从结构来讲会在纵向吃进更深的埋层,因此会导致耐压降低。降低的幅度还要跟foundry确定才行。
发表于 2013-6-1 00:50:17 | 显示全部楼层
好像P管是做在NWELL里,N管是做在Deep Nwell里
发表于 2013-6-13 10:28:17 | 显示全部楼层
回复 2# wind2000sp3


    理论上是一样的,我想请教wind2000sp3 说的耐压是指哪个结耐压??
发表于 2013-6-13 13:32:58 | 显示全部楼层
回复 4# longqingshan


    在高压CMOS工艺里,埋层的耐压一般会比普通nwell耐压低些。
发表于 2013-6-13 20:07:13 | 显示全部楼层
回复 5# wind2000sp3


   谢谢解惑!!
发表于 2013-6-13 20:07:18 | 显示全部楼层
回复 5# wind2000sp3


   谢谢解惑!!
发表于 2014-10-17 09:36:51 | 显示全部楼层
请问DNW是怎样注入的啊?
发表于 2014-10-17 13:08:21 | 显示全部楼层
多謝樓上解惑
发表于 2015-1-28 10:24:08 | 显示全部楼层
回复 8# zhfxupt 同问
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