关于带隙基准的一些疑问

ntuzxy · 发表于 2013-5-17 09:46:16

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对基准有些疑问，请教各位
1. 对温度一阶补偿后的二次曲线（近似）为什么有的开口向下有的开口向上？

2. 论文中实现Sub-1V的基准都采用电流模结构，为什么不用电压模的基准分压呢？（当然要经过阻抗变换比如加个运放）

TianBian365 · 发表于 2013-5-17 13:09:23

1. 二阶温度补偿一般是S形状，无所谓开口不开后，如果说有开口的话，是你补偿还不够。
2. 一般1.2电压分压的基准都要求电源电压>1.2V, sub-1V的基准的应用一般是考虑电源电压很低(<1.2V)

ntuzxy · 发表于 2013-5-17 14:23:56

回复 2# TianBian365

哦，是这样

但是第一个问题我问的是一阶补偿啊，一阶补偿后的效果肯定近似抛物线的！为什么有的开口向下而有的开口向上呢？
你说的那是高阶补偿了

mcgrady · 发表于 2013-5-17 14:40:52

理论上要开口向下，开口向上应该是引入了其它量进来
比如运放输入的offset电压如果随温度变化可能就有开口向上（由Razavi知OP offset对基准电压影响较大）

TianBian365 · 发表于 2013-5-20 10:55:15

Sorry.
一阶的开口是由于电阻类型造成的。
你可以做3个测试实验来做比较：
1. 使用理想电阻做bgr
2. 使用负温度系数电阻做bgr
3.使用正温度系数做bgr
电阻温度系数是造成开口的原因。
由于工艺不同，有的正或负的温度系数的TC1,TC2 不足以使得开口向上。。所以要求你自己设定温度系数做一个研究。
另外，如果电阻模型中包含了电阻衬底电压系数，也有可能造成开口影响。。希望你比较后回复在这里。：）

xyn777 · 发表于 2013-5-20 14:41:25

回复 TianBian365

哦，是这样

但是第一个问题我问的是一阶补偿啊，一阶补偿后的效果肯定近 ...
ntuzxy 发表于 2013-5-17 14:23

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基于BJT的是向下的，基于MOS管是向上的。

ygchen2 · 发表于 2013-5-20 22:29:23

本帖最后由 ygchen2 于 2013-5-20 22:31 编辑

Sorry.
一阶的开口是由于电阻类型造成的。
你可以做3个测试实验来做比较：
1. 使用理想电阻做bgr
2. 使 ...
TianBian365 发表于 2013-5-20 10:55

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一阶的开口是由于电阻类型造成的，是猜想吗？能否说说其中缘由。

kiolop · 发表于 2013-5-21 09:23:06

是电阻和Vt温度系数的原因，这个可以推导的，而且仿基准的时候也会发现这个问题

ygchen2 · 发表于 2013-5-22 22:04:56

回复 8# kiolop

是因为电阻的二阶温度系数很大吗？如果是那样的话，需要看你所用电阻二阶温度系数是不是起主导作用。如果其它二阶温度系数起主导作用，可能这个开口方向就不会由电阻决定了。

mcgrady · 发表于 2013-5-22 23:56:09

回复 5# TianBian365

基准电压和电阻比例相关，这样的电阻温度系数会影响吗？

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