tsmc35SiGe工艺中四端npn

jiaoziwansui · 发表于 2013-5-16 15:22:52

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请问高手，tsmc35SiGe BiCMOS工艺中的四端npn，除了E、B、C，剩下中间那个端口是不是衬底S？应该接到哪？通常为了隔离，将NPN的衬底接到最低点位，所以我接到地了，这样对么？

math123 · 发表于 2013-5-16 17:04:52

工艺文档里面不是有剖面图吗？

mengchong19 · 发表于 2013-7-3 21:40:36

请问第四端是指盖在基极的区域上的多晶端吗？

mengchong19 · 发表于 2013-7-3 21:42:55

我们也正考虑用这个工艺，需要可以QQ联系：287979881

zhifj86 · 发表于 2013-7-4 15:14:44

明显衬底吧

aili965849539 · 发表于 2013-10-30 18:34:42

对哈！保证源衬结在任何情况下反偏！

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