关于MOS管的衬底的接法

nature19900303 · 发表于 2013-4-24 00:10:05

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1.由于NMOS做在P型衬底上，故所有的NMOS的衬底都应该接gnd.
2.PMOS做在N阱中，这就有了两种选择：
   一个是都直接接在vdd上，这样的优点是在版图中可以把所有的N阱相接，可以减小版图面积，缺点是会产生衬偏效应；
   另一个方法是根据PMOS管的源端电位将其分为不同组，每组用一个N阱，并与其他隔开。但如果分组较多，如共源共栅放大器，就需要较多的N阱了。

所以我的问题是：1.怎样处理PMOS的衬底最好？
                  2.是否有N衬P阱的工艺？比如说那个厂商？二者的优缺点如何？

tree5211 · 发表于 2013-4-24 02:01:39

学习中，谢谢分享

winsm · 发表于 2013-4-24 09:05:32

hot-well的情况一般比较少用。

yun11 · 发表于 2016-7-9 10:05:40

看看，学习学习

lytwjm · 发表于 2016-9-21 16:03:38

看看,学习学习

太阳 · 发表于 2018-12-4 19:19:31

一个MOS管的衬底有三个引脚，B、BN、BP，请问知道它的功能是什么吗？谢谢

Tsengsink · 发表于 2022-6-13 14:18:05

学习

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