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查看: 11644|回复: 6

[讨论] 有没有哪位可以分析解说一下“MOS管的本征增益gmro”的呢?

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发表于 2014-10-21 17:39:07 | 显示全部楼层 |阅读模式

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最近经常遇到MOS管的本征增益这个概念,

  有没有哪位可以分析解说一下“MOS管的本征增益gmro”的呢? 不胜感激呀!!!
发表于 2014-10-21 17:46:21 | 显示全部楼层
本征增益,按照Razavi的说法,就是单个器件能够得到的最大电压增益,就是一个管子饱和区跨导gm和其输出电阻ro的乘积gm*ro.
 楼主| 发表于 2014-10-21 18:06:01 | 显示全部楼层
本帖最后由 qq1220698299 于 2014-10-21 18:07 编辑

回复 2# fightshan


   那一般输出电阻ro怎么算得的呢?
我只知道定义式是Vds对Ids求偏导。
发表于 2014-10-22 11:40:09 | 显示全部楼层




   就是这么算的,最终可以表示为ro=1/(入*Id)

点评

怎么显示不出来,可以重发一次吗  发表于 2021-12-22 22:46
发表于 2021-9-29 12:40:33 来自手机 | 显示全部楼层
如果不是单管是共源共栅的结构呢,gm ro又分别指的是哪个MOS的gm  r
发表于 2022-12-30 19:07:14 | 显示全部楼层
可以理解为负载为无穷大时的增益,即由MOS本身参数生成的增益,比如简单共源极情况下,本征增益大小为gm*ro,ro为MOS本身的等效电阻
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