关于CSMC0.5um工艺的MOS管的温度系数问题

IC.Michael

最近在学习电流源的设计，看文献中提到过将电阻和MOS管的温度系数抵消的话就可以产生一个和温度无关的电流源偏置了，但是不清楚这个工艺下或者说MOS管的温度系数该怎么看？还有关于不同电阻的温度系数问题。

hszgl

由于温度系数会根据不同的长宽修正，最直接的方法莫过于跑个仿真，从曲线里提参数了。

IC.Michael

回复 2# hszgl


   恩 谢谢你的回答。这样理解，对单独的管子进行仿真？扫描temp，从曲线里能看到趋势，但是如何看具体数据，以和电阻温度系数抵消呢？

hszgl

回复 3# IC.Michael


    id对温度的导数就是温度系数啊。

peterlin2010

和温度无关的电流源
一般來說如果 bandgap current 設計夠好可以 IPTAT 就可以無關.
但是 溫度要求

-40 ~ 150 度都要不變?

還有 多少算穩定 ?  多少 ppm ?

如果 bandgap +   温度系数抵消   一般是 n_well resistor + poly_resistor
去合成一個低溫度

也有些 process HR 有特殊低溫度系數但是 ,阻值低 記得是 400~500 Ohm/square ,
雖然可以使用這得到 低溫度系數  + bandgap 就可以得到 低溫度系數電流,
但是 一般使用低溫度系數 那本來  HR1k/ hr2k/ hr3k  沒得使用了

hszgl

回复 5# peterlin2010


    请教一下nwell R和 poly R合成一个低Tc R的原理是什么？效果明显否？

peterlin2010

HR poly  負溫度系數 +  n_well    正溫度系數 .抵消阿
你自己去看 spice model  TC1  TC2 就知道 .

hszgl

回复 7# peterlin2010


    哦哦，忘记nwell r是正温度系数了，刚才没过脑子，谢谢。

xjf20072608

回复 8# hszgl


   这种做法其实是不太可行的，因为是两种不同的电阻，他们之间的匹配是个问题。

hszgl

回复 9# xjf20072608


   nwell R 和 poly R 匹配有点问题，但是 nwell+poly R和nwell+poly R 匹配问题不大吧。