CSMC工艺模拟版图DRC时Convention_NWMO检测项报错

biwen_zhu

file:///C:/Users/biwen_zhu/AppData/Roaming/Tencent/Users/372886466/QQ/WinTemp/RichOle/XYJ4DG)(P2AVN_3$FOWKEA3.png
工艺名称为 1um_SPDM_5V20600V_BCD_Process。调用该工艺给的电容的版图时，DRC Convention_NWMO项 ，错误显示为
Nmos in NW（详情见图片）。而且电路中调用多个这样的电容，有的报错，有的不报错，不是很理解？求 Convention_NWMO项报错的原因？
file:///C:/Users/biwen_zhu/AppData/Roaming/Tencent/Users/372886466/QQ/WinTemp/RichOle/XYJ4DG)(P2AVN_3$FOWKEA3.png
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Snowy2016

CSMC工艺不太了解，不过根据rule 的描述来看，它是不允许把NMOS做在NW里边（原因是Source、Drain、Sub都是N type，物理上是连在一起的，不能像MOS一样用Gate电压控制Source到Drain的电流）。
GSMC的PIP电容有这样的做法，不过它的Source、Drain、Sub会用metal连在一起作为下极板，不过会盖特殊的mark layer去识别这是PIP电容，DRC也不会抓错。
至于楼主你说的有的报错有的不报，猜想是hierarchy调用的缘故，同一cell调用N次，DRC若用hierarchy跑，它只会抓一次。
个人间接，希望对你有帮助！

biwen_zhu

回复 2# Snowy2016

    我把原胞拆开，是有一CAP层，估计就是你说的用来识别是电容的层。可是DRC还是识别为Nmos报错，很是无语。

   谢谢回复！受益良多。

15008229548

个人建议，如果有工艺文件的话，打开DRC文件，对照DRC规则里面的描述，去看哪些器件具有同样的层次，可能有新的发现；同时，DRC报错的时候，有的地方相同的错误可能只会报一个地方哈