富士胶片展出2.5维及三维封装用转接板技术

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富士胶片在“nano tech 2013（第12届国际纳米技术综合展）”（东京有明国际会展中心）上，展出了可大量形成直径60nm的微细通孔的2.5维及三维封装用转接板技术。

       作为2.5维及三维封装用转接板的候选，业界正在探讨可形成TSV（硅通孔）的硅转接板以及可形成TGV（玻璃通孔）的玻璃转接板。此次富士胶片的转接板的特点是通孔直径约为60nm，可缩小至TSV和TGV的1/100左右。

         

                               
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通过铝的阳极氧化，像蜂窝一样形成直径为60nm的微细通孔（点击放大）   

                               
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       现场演示表明，微细通孔会在厚度方向导通，在平面方向不导通（点击放大）


       具体方法是，首先使厚度为80μm的铝（Al）基板实现阳极氧化，像蜂窝一样形成大量在厚度方向贯通的、直径约为60nm的通孔。然后，采用镀铜等工艺将铜嵌入其内部全体以形成通孔。

       在该基板上形成电路图案时，铝氧化物会成为绝缘体，因此可在平面方向上保持绝缘性。另外，在基板正面和背面电路图案重复的部分，微细通孔会在厚度方向全部导通，因此无需单独设计通孔。这样就使得“布线设计的自由度大大提高”（富士胶片的解说员）。而且，将没有使用的铜通孔部分接地（GND）后，有望实现噪声抑制（屏蔽）效果等。

       通孔的直径约为60nm，深度约为80μm，宽高比非常大。因此难以均匀地在通孔内部进行镀铜，不过富士胶片利用自主开发的技术克服了这一点。富士胶片虽然曾在过去介绍过此类加工技术，不过此次是首次作为2.5维及三维封装用转接板技术进行展示。该公司表示，如果客户需要便可样品供货。