高压 ESD救急~

Miao_hero · 发表于 2012-12-11 10:34:02

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由于ESD是设计在一个高压电路模块，工作电压最大有10V左右，需要用高压HVNMOS来做ESD。但是工艺厂只有3.3V的ESD，请问要如何用啊？可以简单的串联来用么？

lucia_wan · 发表于 2012-12-12 10:03:27

3.3V耐10V的难度挺高的，还不如直接用高压管做RC clamp来安全可靠吧

ruinsnku · 发表于 2012-12-12 13:22:26

用HVMOS管吧，或者用一个MVSCR（一般的导通电压也就在10~15V之间）

彤妍物语 · 发表于 2012-12-14 13:36:35

晶圆厂只是给出3.3V的ESD规则吧。。如果也给出了HVMOS做ESD器件的规则，那就照着画吧，如果没有给出的话，那就只能自行设计咯。。

jian1712 · 发表于 2012-12-19 23:50:03

回复 1# Miao_hero
没有遇到这种情况，可以在网上找找stack esd的paper看看，但是你的10v端口连接的diffusion区域是否会造成漏电，MVTSCR或许可以考虑。耐压和esd都值得仔细斟酌。

poplion · 发表于 2013-1-6 21:03:33

回复 1# Miao_hero

我觉得你可以用一个反向diode再串联两三个正向diode，这样Vt1大于10V，但是反向diode要做的大点儿啊

ramona · 发表于 2013-1-8 17:17:06

自行设计靠谱不怎么验证啊

analogmind · 发表于 2013-1-11 15:18:48

10v的高压可以利用snapback的方式，也可以用MOS conduction的方式。ESD设计很麻烦，不是一两句话就可以说明白的。不过可以先照着3.3v的方法，来做10v的ESD cell。前提是你有钱在foundry反复尝试不同的设计。

ESD_consultant · 发表于 2013-3-13 16:04:53

回复 1# Miao_hero
简单串联很难实现，需要结合被保护的具体电路、器件来设计

zengjie · 发表于 2013-4-17 14:23:30

不能随便串联的。一般工厂给出的3.3V的ESD防护器件面积已经比较大了，如何串联来大于10V，至少4个，这样你的成本是否吃得消？
第二，串联会成倍的增加触发电压和维持电压，这对你的设计是否合适呢？

第三，高压的MOS很容易失效，其他楼建议用高压mos我并不推荐。
ESD设计确实很麻烦，你要从器件物理上重新考虑，来设计新的器件满足要求

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