高压 ESD救急~

allen_tang · 发表于 2013-4-24 16:51:47

我之前遇到过这种情况，6V的IO，最后RD确定要到12V，protection的GCNMOS的话从6V改为12V，不过话说UMC的效率真高，也很配合，两三个礼拜就把TLP结果给我们了，DCG参数变得非常大(比6V的大了一倍多)。
所以LZ如果计划不会非常急的话，等等fab的TLP结果再说吧。
补充下，UMC 162nm DNW制程.

aqwe1024 · 发表于 2013-6-24 17:12:56

謝謝你喔喔喔喔
謝謝你喔喔喔喔

tianyor · 发表于 2013-7-30 15:29:48

10v的高压可以利用snapback的方式，也可以用MOS conduction的方式。ESD设计很麻烦，不是一两句话就可以说明 ...
analogmind 发表于 2013-1-11 15:18

登录/注册后可看大图

最后一句是亮点！有钱就去反复投实验。自己做结构设计是个烧钱的干活

pingdandan · 发表于 2013-8-9 15:01:29

我设计的ESD用在43V的芯片上，多个产品测试没问题，找我帮忙吧！

heeda · 发表于 2013-8-12 21:05:46

找fab吧。。。

layoutedit1 · 发表于 2013-8-15 17:55:03

原则上是可以的，但不明白你只有3。3V器件，里面的管子怎么工作到10V 的?

zgg · 发表于 2014-6-13 22:08:57

学习了

zgg · 发表于 2014-6-15 00:17:22

顶啊！

rainydate · 发表于 2020-6-26 17:50:09

用stack diode应该可以做

[求助] 高压 ESD救急~

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