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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › Analog/RF IC 设计 › Analog/RF IC 设计讨论 › 高压 ESD救急~
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楼主: Miao_hero

[求助] 高压 ESD救急~

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allen_tang
发表于 2013-4-24 16:51:47 | 显示全部楼层
我之前遇到过这种情况，6V的IO，最后RD确定要到12V，protection的GCNMOS的话从6V改为12V，不过话说UMC的效率真高，也很配合，两三个礼拜就把TLP结果给我们了，DCG参数变得非常大(比6V的大了一倍多)。
所以LZ如果计划不会非常急的话，等等fab的TLP结果再说吧。
补充下，UMC 162nm DNW制程.
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aqwe1024
发表于 2013-6-24 17:12:56 | 显示全部楼层
謝謝你喔喔喔喔
謝謝你喔喔喔喔
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tianyor
发表于 2013-7-30 15:29:48 | 显示全部楼层


10v的高压可以利用snapback的方式，也可以用MOS conduction的方式。ESD设计很麻烦，不是一两句话就可以说明 ...
analogmind 发表于 2013-1-11 15:18

                               
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    最后一句是亮点！有钱就去反复投实验。自己做结构设计是个烧钱的干活
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pingdandan
发表于 2013-8-9 15:01:29 | 显示全部楼层
我设计的ESD用在43V的芯片上，多个产品测试没问题，找我帮忙吧！
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heeda
发表于 2013-8-12 21:05:46 | 显示全部楼层
找fab吧。。。
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layoutedit1
发表于 2013-8-15 17:55:03 | 显示全部楼层
原则上是可以的，但不明白你只有3。3V器件，里面的管子怎么工作到10V 的?
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zgg
发表于 2014-6-13 22:08:57 | 显示全部楼层
学习了
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zgg
发表于 2014-6-15 00:17:22 | 显示全部楼层
顶啊！
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rainydate
发表于 2020-6-26 17:50:09 | 显示全部楼层
用stack diode应该可以做
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