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查看: 3170|回复: 7

[求助] 器件有没有self-heating效应取决于什么?

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发表于 2012-12-8 19:50:39 | 显示全部楼层 |阅读模式

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求大牛指点
发表于 2012-12-9 14:55:51 | 显示全部楼层
w=i^2*R*t
 楼主| 发表于 2012-12-9 20:35:27 | 显示全部楼层
回复 2# iamshan


    大牛留步~ 求物理细节...
发表于 2012-12-14 02:42:15 | 显示全部楼层
从微观上来说,selfheating是由于晶格振动散射释放出的声子引起。宏观上来说是由于电流在半导体中流过,半导体有一定的电阻,就可以产生热量,像楼上说的。
 楼主| 发表于 2012-12-14 21:48:31 | 显示全部楼层
回复 4# danielshou


    谢谢!

是什么决定了器件有没有self-heating效应呢?
发表于 2012-12-15 05:03:12 | 显示全部楼层
本帖最后由 danielshou 于 2012-12-15 05:06 编辑

active器件都会有selfheating效应的。主要是看在器件内有没有电流较长时间通过一个有相对较大电阻的区域。你去看下三极管的equivalent circuit好了。很多parameters都是temperature dependent的。就是考虑其selfheating effect。
 楼主| 发表于 2012-12-16 11:37:48 | 显示全部楼层
回复 6# danielshou


    非常感谢!
发表于 2012-12-26 08:33:56 | 显示全部楼层
器件本身的功耗决定了器件是否需要SELF-HEAT。SELF-HEAT在器件工作中动态改变器件本身的参数,同时也会影响周边器件的动态参数。如果没有SELF-HEAT,则仿真中是无法观察到热的影响。
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