阈值电压问题

diamondpp · 发表于 2012-11-22 18:32:24

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我有个关于阈值电压的问题，当两个nmos管串接时，Vgs 相同的情况下，要Vds一样，上面一个的宽度要大得多。上面一个的阈值电压为啥要大些？

semico_ljj · 发表于 2012-11-22 20:04:56

衬偏效应。。。

seaboy6 · 发表于 2012-11-22 22:53:35

显然是上面一个有体效应呗....

jiang_shuguo · 发表于 2012-11-23 10:19:53

基础太差！

szhang1979 · 发表于 2012-11-26 16:18:00

楼上不厚道

liiru · 发表于 2012-11-26 17:39:28

大家都是从新手过来的，不要鄙视人家啊，如2、3楼所说，上面的管子VSB≠0，下面的管子VSB=0，所以是衬偏效应，上面管子阈值或许会大很多。

fudancyz · 发表于 2012-11-26 17:40:32

上面的NMOS的Vbs<0，引起衬偏了

汉柏桥微电子 · 发表于 2012-12-5 12:54:58

6楼正解。

firefly-317 · 发表于 2012-12-6 14:03:41

顶新手，多问多交流才能进步

fuyibin · 发表于 2012-12-6 16:48:28

回复 1# diamondpp

除了body effect, 可能还有一个原因
不知道你cascode nmos 的 channel length是不是一样
如果是.18um以下的工艺，通常L越大，Vth越小
你这个是smic018?

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