为什么两级运放第一级输入对管用PMOS更好？

weidianwj · 发表于 2012-11-11 17:07:18

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MARTIN的书上说POMS输入对管Veff更大，这样能获得更高的SR，我很不理解。
SR不是输入电流和米勒电容决定的吗？而且通过需要的GBW可以计算出gm，gm=2I/Veff，那么Veff本身应该是由GBW和米勒电容决定了吗？无论是PMOS还是NMOS，都要调至这个过驱动才能满足要求，何来PMOS的Veff更大一说？
谢谢大家帮忙解答一下我的疑问。

jxjxhwx · 发表于 2012-11-11 17:48:02

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selfsalvation04 · 发表于 2012-11-11 22:36:07

回复 2# jxjxhwx

" 从而在GBW保持不变的情况下降低了米勒补偿电容Cc" 麻烦能把这个说仔细一些吗，谢谢了，

weidianwj · 发表于 2012-11-11 23:47:37

回复 2# jxjxhwx

谢谢解答，我大概理解了。是不是说一样的偏执电流和宽长比之下PMOS的gm更低，NMOS更高，所以NMOS放在第二级，PMOS放在第一级，根据（gm6/gm1）=K*（CL/Cc）,这样就能获得更小的Cc（简单地说就是需要更小的补偿电容），这样第一级电流不变，SR升上去了。
但是如果我让第一级NMOS，第二级PMOS，只要gm的比例做到第一种方式那样的比例不是也能把Cc降低下来吗？SR不是也可以升上去吗？

jxjxhwx · 发表于 2012-11-11 23:54:04

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jxjxhwx · 发表于 2012-11-11 23:56:51

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weidianwj · 发表于 2012-11-12 00:03:05

回复 5# jxjxhwx

那样是不是增益就小了？看来有得就有失是吧？

jxjxhwx · 发表于 2012-11-12 13:30:23

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selfsalvation04 · 发表于 2012-11-12 23:30:52

回复 1# weidianwj

您说的是那本说呢，能介绍一下吗，我也想好好看看，谢谢了，要是有电子版的能发一下吗，selfsalvation04@yahoo.com.cn .要是没有麻烦能告诉一下书名我自己找找，劳驾您了

wufuwei · 发表于 2012-11-13 11:25:58

学习了，谢谢哈

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