为什么两级运放第一级输入对管用PMOS更好？

weidianwj · 发表于 2012-11-11 17:07:18

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

MARTIN的书上说POMS输入对管Veff更大，这样能获得更高的SR，我很不理解。
SR不是输入电流和米勒电容决定的吗？而且通过需要的GBW可以计算出gm，gm=2I/Veff，那么Veff本身应该是由GBW和米勒电容决定了吗？无论是PMOS还是NMOS，都要调至这个过驱动才能满足要求，何来PMOS的Veff更大一说？
谢谢大家帮忙解答一下我的疑问。

jxjxhwx · 发表于 2012-11-11 17:48:02

提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

selfsalvation04 · 发表于 2012-11-11 22:36:07

回复 2# jxjxhwx

" 从而在GBW保持不变的情况下降低了米勒补偿电容Cc" 麻烦能把这个说仔细一些吗，谢谢了，

weidianwj · 发表于 2012-11-11 23:47:37

回复 2# jxjxhwx

谢谢解答，我大概理解了。是不是说一样的偏执电流和宽长比之下PMOS的gm更低，NMOS更高，所以NMOS放在第二级，PMOS放在第一级，根据（gm6/gm1）=K*（CL/Cc）,这样就能获得更小的Cc（简单地说就是需要更小的补偿电容），这样第一级电流不变，SR升上去了。
但是如果我让第一级NMOS，第二级PMOS，只要gm的比例做到第一种方式那样的比例不是也能把Cc降低下来吗？SR不是也可以升上去吗？

jxjxhwx · 发表于 2012-11-11 23:54:04

提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

jxjxhwx · 发表于 2012-11-11 23:56:51

提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

weidianwj · 发表于 2012-11-12 00:03:05

回复 5# jxjxhwx

那样是不是增益就小了？看来有得就有失是吧？

jxjxhwx · 发表于 2012-11-12 13:30:23

提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

selfsalvation04 · 发表于 2012-11-12 23:30:52

回复 1# weidianwj

您说的是那本说呢，能介绍一下吗，我也想好好看看，谢谢了，要是有电子版的能发一下吗，selfsalvation04@yahoo.com.cn .要是没有麻烦能告诉一下书名我自己找找，劳驾您了

wufuwei · 发表于 2012-11-13 11:25:58

学习了，谢谢哈

jxjxhwx jxjxhwx 当前离线积分 21453 头像被屏蔽	发表于 2012-11-11 17:48:02 \| 显示全部楼层提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
jxjxhwx jxjxhwx 当前离线积分 21453 头像被屏蔽
	回复支持 1 反对 0 举报

jxjxhwx jxjxhwx 当前离线积分 21453 头像被屏蔽	发表于 2012-11-11 23:54:04 \| 显示全部楼层提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
jxjxhwx jxjxhwx 当前离线积分 21453 头像被屏蔽	EETOP创芯人才网简历投递入口
	回复支持反对举报

jxjxhwx jxjxhwx 当前离线积分 21453 头像被屏蔽	发表于 2012-11-11 23:56:51 \| 显示全部楼层提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
jxjxhwx jxjxhwx 当前离线积分 21453 头像被屏蔽	EETOP创芯人才网职位发布入口
	回复支持反对举报

jxjxhwx jxjxhwx 当前离线积分 21453 头像被屏蔽	发表于 2012-11-12 13:30:23 \| 显示全部楼层提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
jxjxhwx jxjxhwx 当前离线积分 21453 头像被屏蔽	EETOP创芯人才网职位发布入口
	回复支持反对举报

[讨论] 为什么两级运放第一级输入对管用PMOS更好？

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

相关帖子

站长推荐 /2