在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 5239|回复: 6

[求助] 如何降低leakage current

[复制链接]
发表于 2012-9-22 15:39:03 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
如题,小弟只晓得用High VT的cell可以减少漏电流 或者衬底反偏技术,各位大侠还有什么好的方法不,谢谢了
发表于 2012-9-22 18:58:04 | 显示全部楼层
其他降漏流的方法我不知道了,还请楼下赐教。
我只知道怎样降低静态功耗,都是针对漏流下手,如关闭,断开,再就是你说的阈值了。
发表于 2012-9-23 02:05:47 | 显示全部楼层
power gating
FinFET
发表于 2012-9-23 13:18:26 | 显示全部楼层
回复 3# yin_wt


    FinFET  中的  Fin   是什么意思啊?
发表于 2012-9-23 18:52:12 | 显示全部楼层
回复 4# 729050850


   鱼鳍型晶体管

                               
登录/注册后可看大图
发表于 2012-9-23 20:09:19 | 显示全部楼层
谢谢啊,学习了
发表于 2012-9-25 09:59:39 | 显示全部楼层
在digital-back design 阶段 好像就multi-Vth 跟multi-power domain 吧 其他还不清楚呢
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

×

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-17 05:46 , Processed in 0.021854 second(s), 8 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表