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楼主: iccmj

[求助] 关于wafer厚度减薄(磨)

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发表于 2022-12-8 17:21:13 | 显示全部楼层
晶圆初始厚度:
2英寸(51毫米)。厚度275 μm。

3英寸(76毫米)。厚度375 μm。

4英寸(100毫米)。厚度525μm。

5英寸(130毫米)或125毫米(4.9英寸)。厚度625微米。

150毫米(5.9英寸,通常称为“6英寸”)。厚度675 μm。

200毫米(7.9英寸,通常称为”8英寸”)。厚度725μm。

300毫米(11.8英寸,通常称为“12英寸”)。厚度775 μm。

450毫米(17.7英寸,通常称为”18英寸”)。厚度925μm。
发表于 2024-10-18 16:08:46 | 显示全部楼层
看看学习下。。
发表于 5 天前 | 显示全部楼层
1. FAB应该不会给做减薄,1来代工厂FAB一般不会提供晶圆CP测试服务,一般都是去测试OSAT;二来,减薄完成后就要进行划片裂片,这是有Q-time管控的,除非这家FAB厂是既有晶圆代工又有封测服务;
2.也不是每种封装类型都有减薄,像FCBGA就可以不做减薄
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