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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › 集成电路生产/封装/工艺 › 生产/封装讨论区 › 关于wafer厚度减薄（磨）
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楼主: iccmj

[求助] 关于wafer厚度减薄（磨）

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zixi_2012
发表于 2014-3-26 14:12:26 | 显示全部楼层
学习了
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Zhangshuan
发表于 2020-6-6 21:54:48 | 显示全部楼层
我们要好好的学习方法
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wei5699
发表于 2020-6-9 09:47:33 | 显示全部楼层
前两天在徐州，我们要求的是240um,他们的设备最小可以魔到80um
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isaka
发表于 2020-6-9 09:57:42 | 显示全部楼层
1.对于量产的wafer，一般是要求fab减薄还是到了封装厂再减薄？
我接触到的减薄，fab和封装厂都可以做，封装厂一般是200um，很少低于150um；
使用TAIKO工艺可以磨到100um；这个工艺有的封装厂是外包出去做的；
所有这些都是花钱的

2.各个的好处是什么？
wafer减薄有个好处是容易过TCC实验，坏处变脆，同时TAIKO工艺会使损失EDG，
另外power mos有些vertical mos减薄后对SOA有一定的影响
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张学胜
发表于 2021-1-8 08:05:46 | 显示全部楼层
666666
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xutao8
发表于 2022-2-7 15:02:05 | 显示全部楼层
学习一下
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wsrzsg
发表于 2022-5-6 22:14:03 | 显示全部楼层
量产wafer FAB出厂会统一减薄12寸应该是725+/- 15 um   8寸是775+- 25um
然后到封装厂在进行减薄。最小的好像可以做到6mil =153um左右。
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zpfzk
发表于 2022-8-1 10:45:15 | 显示全部楼层


wsrzsg 发表于 2022-5-6 22:14
量产wafer FAB出厂会统一减薄12寸应该是725+/- 15 um   8寸是775+- 25um
然后到封装厂在进行减薄。最小的好 ...


说反了把，8寸725um，12寸775um
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zpfzk
发表于 2022-8-1 10:47:48 | 显示全部楼层
减薄的最终厚度主要看wafer的内应力。
内应力又和wafer减薄后的损伤层有关系，通常后段封装的做法是减薄后进行taping。
或者taiko工艺留一圈ring，方便后面工序的搬送，其次没有taping有利于BM工艺。
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wsrzsg
发表于 2022-8-3 14:19:46 | 显示全部楼层


zpfzk 发表于 2022-8-1 10:45
说反了把，8寸725um，12寸775um


对的对的，说反了~
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