带隙基准仿真的问题

frankobvip · 发表于 2012-9-17 21:55:32

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

如图为何乐年书上第八章的原理图，参数也照书上给的参数设置。书上给的方法是按图连好后直接dc 温度扫描，然后通过改变2个电阻值来不断优化vref对温度的输出图，通过参数扫描的方法可以得到还不错的输出曲线。

这是2个结果图，有几个问题想请教

1 对电路做op仿真，发现由于电阻R0取26k，I很小，使得不少管子进入亚域区，觉得不合理，运放的话肯定期望增益越大越好吧？（但是仿真结果好像还挺合理。。）

2 第二个结果图抛物线顶点在下，而一般别的仿真结果都是顶点在上，也就是常温的时候vref是比较高的，不知道这个有没有影响？

frankobvip · 发表于 2012-9-17 21:56:31

本帖最后由 frankobvip 于 2012-9-21 19:32 编辑

回复 1# frankobvip

原理图
还有几个问题请教

带隙基准里面各器件参数是怎么影响带隙基准电压源的性能呢？

1.运放的目的只是为了是两个输入端的电位相等吧？因此是要求增益越高越好？此运放需要补偿吗？

2.各支路电流取值该怎么取呢？电流的大小对电路的影响是？
3.恰当的取两个电阻值的比值可以得到零温度系数的输出电压，可是具体的电阻取值该怎么取呢？电阻太大了占用面积太大，太小了是不是会影响到支路的电流？