带有pad设计的set_load和set_driving_cell的约束

AveryYoung · 发表于 2012-7-24 13:17:02

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求助，如题

对于一个带有pad的设计

输入pad，在估算set_driving_cell的时候，应该如何计算？是否还是遵循“中等偏大buff”的方法，并且将约束加载输入pad的输入端，即外部信号的输入？

输出pad，在估算set_load的时候，应该如何估算？我知道应该是需要板级的一个电容指标，并且将来会需要布PCB和用示波器测试，那么这样情况下的电容一般是多少？加载set_load的位置，是否应该是输出pad的输出端，即外围的输出信号。

A1985 · 发表于 2012-7-24 21:26:56

这个PAD通常需要SI仿真。。。。。。下面自己琢磨。

cxj2010 · 发表于 2012-12-7 15:38:30

回复 1# AveryYoung

请问楼主问题解决了吗，该如何设置？

AveryYoung · 发表于 2012-12-8 21:44:40

回复 3# cxj2010

没搞定，我后面对待io的设计不加约束了，当做理想来处理，因为对于信号的io，一般对内都会有一个buff做缓冲，所以我认为应该可以不用加，这个buff应该足够大了。

liuqiang_top112 · 发表于 2013-1-8 16:17:21

同问

icfbicfb · 发表于 2013-1-8 21:26:16

输入设 input transition吧，对port来说，

输出一般是20~30pf，pcb上的电容值，

xiaoquanic · 发表于 2014-6-1 16:56:21

学习中，好多东西不是很理解啊

trippa · 发表于 2014-6-3 09:21:25

回复 6# icfbicfb

版主大人，我觉得加了PAD后，PAD中已经有BUFFER了，它对输入端口提供驱动，多输出端口提供负载电容。所以我觉得set_driving_cell和set_load都可以不用设置了。请版主指正。

zhang_asic · 发表于 2017-3-5 21:18:24

任重道远

河源皮 · 发表于 2017-10-17 09:27:04

回复 6# icfbicfb

这个说的好，经验值pcb上20~30pF

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