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楼主: wgli1314

[讨论] mos电容的区别

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发表于 2019-12-10 09:52:17 | 显示全部楼层


843071455 发表于 2012-5-13 15:14
三个电容中nwell衬底的nmos特性最好,不过有是浪费面积,所以在版图中只要适合就行,没有必要选特性最好的 ...


请问nwell里的nmos电容有点浪费面积,这个怎么理解呢?就在nmos周围加一层nwell,面积是一样的啊。你指的是nwell包nmos的那一点间距吗?
发表于 2024-8-27 16:42:36 | 显示全部楼层
看看
发表于 2024-10-9 09:05:10 | 显示全部楼层


寂寞的歌 发表于 2012-5-8 20:34
作为mos电容,我们最希望的是让其工作在积累区,这样其电容值是很稳定的
这样对应的结果就是如果是一端接地 ...


请教下前辈,那为什么我看PMOS电流镜栅极一般都是接PMOS电容到VDD,为什么不接NMOS电容到VDD呢?接NMOS电容的话不就能工作在积累区了吗?
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