mos电容的区别

wgli1314 · 发表于 2012-5-4 23:37:51

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常见的mos电容有三种:1. pwell衬底的nmos管，2.nwell衬底的pmos管，3.nwell衬底的nmos管，在同一个项目中这三种类型的mos电容有可能都要用到，请问他们三种有什么区别？分别用在哪些情况下？

wgli1314 · 发表于 2012-5-7 20:42:31

顶顶顶顶

寂寞的歌 · 发表于 2012-5-8 20:34:49

作为mos电容，我们最希望的是让其工作在积累区，这样其电容值是很稳定的
这样对应的结果就是如果是一端接地（GND）的电容，则使用pmos（N阱）电容；
如果是一端接电源（VCC）则使用nmos（P阱）电容

caosl · 发表于 2012-5-11 17:27:12

前面两种非线性电容，两端电压大小确定情况下使用，第三种为近似线性电容，大部分情况均可使用

lllyyy625 · 发表于 2012-5-11 20:42:30

学到了啊 ~~一直不清楚这个问题

firewolf223 · 发表于 2012-5-13 15:04:27

1,2 其实就是普通管子，没有大的差别；主要就是3这种电容，在nmos管下加nwell，一个可以把电容做成线性，也就是避免了阈值电压造成的充放电延迟，还有就是从工艺上减小了衬底寄生电容的影响

843071455 · 发表于 2012-5-13 15:14:08

三个电容中nwell衬底的nmos特性最好，不过有是浪费面积，所以在版图中只要适合就行，没有必要选特性最好的，除非电路对电容的特性要求很高，例如振荡器。

half_honey · 发表于 2012-5-14 08:59:39

学到了~不该忽略这三种的区别的~

damonzhao · 发表于 2012-5-14 09:34:35

第三种的nwell就是传说中的DNWELL，对隔离陈迪噪声很管用的

half_honey · 发表于 2012-5-14 09:36:38

回复 9# damonzhao

从前有种噪声叫陈迪

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