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[讨论] mos电容的区别

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发表于 2012-5-4 23:37:51 | 显示全部楼层 |阅读模式

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常见的mos电容有三种:1. pwell衬底的nmos管,2.nwell衬底的pmos管,3.nwell衬底的nmos管,在同一个项目中这三种类型的mos电容有可能都要用到,请问他们三种有什么区别?分别用在哪些情况下?
 楼主| 发表于 2012-5-7 20:42:31 | 显示全部楼层
顶顶顶顶
发表于 2012-5-8 20:34:49 | 显示全部楼层
作为mos电容,我们最希望的是让其工作在积累区,这样其电容值是很稳定的
这样对应的结果就是如果是一端接地(GND)的电容,则使用pmos(N阱)电容;
如果是一端接电源(VCC)则使用nmos(P阱)电容
发表于 2012-5-11 17:27:12 | 显示全部楼层
前面两种 非线性电容, 两端电压大小确定 情况下使用,第三种为近似线性电容,大部分情况均可使用
发表于 2012-5-11 20:42:30 | 显示全部楼层
学到了啊 ~~一直不清楚这个问题
发表于 2012-5-13 15:04:27 | 显示全部楼层
1,2 其实就是普通管子,没有大的差别;主要就是3这种电容,在nmos管下加nwell,一个可以把电容做成线性,也就是避免了阈值电压造成的充放电延迟,还有就是从工艺上减小了衬底寄生电容的影响
发表于 2012-5-13 15:14:08 | 显示全部楼层
三个电容中nwell衬底的nmos特性最好,不过有是浪费面积,所以在版图中只要适合就行,没有必要选特性最好的,除非电路对电容的特性要求很高,例如振荡器。
发表于 2012-5-14 08:59:39 | 显示全部楼层
学到了~不该忽略这三种的区别的~
发表于 2012-5-14 09:34:35 | 显示全部楼层
第三种的nwell就是传说中的DNWELL,对隔离陈迪噪声很管用的
发表于 2012-5-14 09:36:38 | 显示全部楼层
回复 9# damonzhao


   从前有种噪声叫陈迪
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