在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
楼主: wgli1314

[讨论] mos电容的区别

[复制链接]
发表于 2012-5-14 10:51:52 | 显示全部楼层
回复 10# half_honey


    衬底,哈哈,打错字了
发表于 2012-5-14 17:06:51 | 显示全部楼层
第三种的nwell就是传说中的DNWELL,对隔离陈迪噪声很管用的

不盡相同  有些 只是用一般的 NWELL 不是用 DNWELL
发表于 2012-5-15 00:42:26 | 显示全部楼层
学到了,不过我还未见到过nwell的nmos,希望可以遇到
发表于 2012-8-4 21:30:18 | 显示全部楼层
回复 3# 寂寞的歌   说的很清楚,就喜欢把问题说的清楚的
发表于 2012-10-19 15:25:01 | 显示全部楼层
回复 3# 寂寞的歌


    问下nmos放在nwell中作电容时,是不是只有积累区和耗尽区,没有反型区,如果这样,它的曲线就和nmos电容曲线不一样了
发表于 2012-10-22 12:14:36 | 显示全部楼层
就看接gate的电压?
发表于 2012-10-25 11:14:24 | 显示全部楼层
不懂的地方好多呀!
1 电容的非线性和线性是怎么回事?
2 12 电容在电路使用上有没不同?
发表于 2012-10-26 18:20:33 | 显示全部楼层
同样没碰到过放在deep nwell中的电容,希望能碰到
发表于 2012-10-27 14:35:31 | 显示全部楼层




    15楼看出mos cap的工作本质。对mos cap来说,器件的选择很重要,接法也很重要。
发表于 2012-10-29 21:34:16 | 显示全部楼层
NMOS放到NWELL中,其实就像相当于工作在积累区的PMOS电容,原理是一样的
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-12-26 11:04 , Processed in 0.021201 second(s), 6 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表