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[求助] 基准电流受温度影响很大

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发表于 2012-4-19 16:42:49 | 显示全部楼层 |阅读模式

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最近做的基准电流源,虽然输入vref受温度影响很小,但是在基准电流源电路中电阻的关系,输出的电流受温度影响很大,诸位知道该怎么做才能得到一个受温度影响很小的基准电流
基准电流电路.png
发表于 2012-4-19 18:06:46 | 显示全部楼层
you can use Iptat +Ictat to get constant current:
Iptat: you know it
Ictat: VBE/R  
by doing so, you can get 0 TC performance. but the value is detemined by risistor corner..
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发表于 2012-4-19 19:49:54 | 显示全部楼层
从电路看:I=Vref/R
可以考滤用正负温度系数的电阻串联抵消电阻的温度系数,但是晶体管本身的跨导也存在温度系数,所以不一定要做成绝对零温,
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发表于 2012-4-19 22:00:42 | 显示全部楼层
这种结构,一般Ibias有个+-1%波动很正常啊,你需要什么样的精度呢?
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发表于 2012-4-19 22:34:00 | 显示全部楼层
+/-1%需要low-TC电阻吧
通常要求不太高Iref=Vref/(Rptc+Rntc), 如pplus,h-poly,补补可以满足一般要求
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发表于 2012-4-20 09:43:29 | 显示全部楼层
基本上都是把bg的ref用buf驱动片外电阻再镜像,最靠谱,其他新奇电路也可以试试
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发表于 2012-4-20 10:36:36 | 显示全部楼层
回复 6# kwankwaner


    这取决于客户或者市场的要求,管脚也不是你想怎么定义就怎么定义
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发表于 2012-4-20 11:22:06 | 显示全部楼层
回复 7# wocaishidac


    也是,不过这就是技术引导市场还是市场引导技术的问题了,不知道是不是现在的客户都要求做片内的基准电流源了
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发表于 2012-4-20 11:24:40 | 显示全部楼层
还有,片内基准(片内Res)很难做到一致性很好,主要是电阻离散型很大,+-5%就很正常。其实温度影响是很小的。
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发表于 2012-4-22 14:52:01 | 显示全部楼层
Trimming吧。
上面大家都提到电阻了,我就说说运放。针对1.2V的基准电压,12mV的OP的失调电压引起1%的偏差;在其它温度下,1%能否恶化到10%要靠设计保证了。
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