低压共源共栅电流镜线性区的问题

1261015620 · 发表于 2016-10-8 09:48:18

最近在做一个低压共源共栅电流镜，结构如下图。其中，我为了得到0.9V的M4的漏压，调节管子使得M1管的漏压也为0.9V，这样消除沟调效应的影响，镜像比例就变得准确很多。可是导致的后果是，M2管和M5管的栅压太高，而漏压又只有200多mV，所以进入了线性区。但是我仿真的结果看，输出电流还是比较准确的，而且M4漏压也有一定的变化范围（在该范围内，电流误差低于某个值）。
可是线性区的电流镜是不是很脆弱？这样的电流镜能用吗？
希望大家多多指教~

hehuachangkai · 发表于 2016-10-8 09:48:19

回复 5# 1261015620

这个比较容易理解吧。。内部供电电源并不是稳定的，电源电压稍有波动，你线性区（亚阈值区指数函数更严重）电流就会跟着波动。而在饱和区的话，可以认为不会发生这种情况，饱和区抗干扰性好。。

hehuachangkai · 发表于 2016-10-8 11:01:39

通常认为M2和M5是电流镜核心，是真正决定电流大小的管子。我觉得仿真可以比较准确，但考虑各种制作因素，两者可能很不准确，而且电流极容易跑漂。。

tomcarrot · 发表于 2016-10-8 11:07:57

避免线性区，把VD2/VD5提高，即增大1和4的W/L或者直接提高1和4的gate电压不就行了。。。

1261015620 · 发表于 2016-10-8 22:39:50

回复 3# tomcarrot

嗯，我已经改了，已经位于饱和区了。我就是想知道线性区会有什么坏处，因为从仿真结果来看还不错。。。

1261015620 · 发表于 2016-10-8 22:40:45

回复 2# hehuachangkai

你好，跑漂是什么意思呢？

1261015620 · 发表于 2016-10-9 11:12:55

回复 6# hehuachangkai

谢谢~我只是看到仿真结果还可以，可没注意仿真时候都是一些比较理想的情况，没有考虑到实际中会存在的一些非理想因素。果然经验还是太少...

demon0821 · 发表于 2016-10-10 09:47:01

最好把MOS的尺寸给出了，这样可以看到你具体如何实现你说的结果
因为M1，M4作为cascade已经使得电流镜的核心漏端电压基本一致
因此感觉你那样是不必要的操作

天使的微笑 · 发表于 2016-10-11 09:09:53

当前仿真时，由于M2和M5的栅源漏电压相近，因此电流是匹配的，但如果在实际电路中这样的结构在M4的漏端电压变化比较敏感，如果将M4压到线性区，影响会很明显。

xuriver2012 · 发表于 2016-10-11 17:43:41

M2,M5最好做成倒比的管子

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