先是在封装后的芯片上直接用万用表测试发现VDD和VSS之间阻值很小(0.2ohm),后来请封装工程师在划片后封装前的裸片上用万用表测试二极管特性,VDD和VSS凸点之间电压只有20多mV。应该可以排除PCB和封装管壳的问题。
补充下ERC检查的结果,ERC报告下列问题:
1、mnpg(MOS erc_nmos_gates S/D connect to POWER&GROUND)
2、mppg(MOS erc_pmos_gates S/D connect to POWER&GROUND)
3、npvss49(ntap connect to GROUND)
4、npvdd49(ptap connect to POWER)
5、floating.nxwell_float(nxwell_float is not connected to POWER)
6、floating.psub(psub is not connected to GROUND)
其中,1、2、3、4发生在TSMC standIO PVSS1ANA/PVSS1DGZ等单元内,TSMC IO手册明确说明需要waived;
5发生在编译产生的memory内部,6发生在模拟PLL内,应不会导致VDD、VSS短路。