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CMOS 带隙基准电压封装后咋会漂啊?

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发表于 2006-11-16 09:14:46 | 显示全部楼层 |阅读模式

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日前做了一款电路,内有CMOS 带隙基准,中测修调可以达到2.5V上下偏差不超过7毫伏,但在封装后发现CMOS 带隙基准电压以2.5V为中心上下偏差达到100多毫伏!在把IC开冒后CMOS 带隙基准电压又基本正常了,排除了光及不同塑封料的影响,我的CMOS 带隙基准电压电阻是用井电阻。这是啥原因啊?
发表于 2006-11-16 13:30:13 | 显示全部楼层
外阻分压,以及失调!
发表于 2006-11-16 20:57:57 | 显示全部楼层
你在哪家生产线做的?
发表于 2006-11-16 22:25:11 | 显示全部楼层

回复 #1 sww008601 的帖子

会不会是封装的WIREBONG引入的寄生电感引起的振荡,或者是地跳?
发表于 2006-11-17 13:21:45 | 显示全部楼层
是啊
顶楼上的
 楼主| 发表于 2006-11-20 14:16:15 | 显示全部楼层
封装后基准就不会振荡而且比较稳定,运放仿真的增益典型为70DB失调小于500微伏,揩盖后就基本恢复正常了,我怀疑是两个原因:一是井电阻受封装应力影响较大,二是运放失调受封装应力影响较大,所以开盖后应力释放掉就会恢复正常。是CSMC工艺,请各位高手帮我分析一下,不胜感谢!
发表于 2006-11-20 16:04:54 | 显示全部楼层
第二个原因基本可以排除,第一个原因的可能性也比较小,加我QQ详谈:4916522
发表于 2008-5-5 09:57:10 | 显示全部楼层

同问
发表于 2008-5-5 10:25:43 | 显示全部楼层
盼望lz解决了过来分享经验!
发表于 2008-5-5 11:05:57 | 显示全部楼层
原来封装也会给bandgap带来问题。
希望有经验的工程师分享答案。

[ 本帖最后由 tonyshen1980 于 2008-5-5 12:43 编辑 ]
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