P衬上可以做NPN吗

xd_HR · 发表于 2011-9-29 21:28:20

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

RT CMOS 工艺 P衬上衣外延N- 我怎么觉得应该可以做NPN呢 Latch up 不就可以寄生NPN管吗求高手解答

lodestar6666 · 发表于 2011-10-10 14:38:28

不是说有NPN结构就是NPN管，要得到满足电学特性要求的NPN管则标准CMOS工艺的结深、掺杂浓度等无法满足要求，必须增加工艺步骤。看一下晶体管原理或电子器件的书吧，看看NPN管的电学参数跟哪些器件结构有关。

xd_HR · 发表于 2011-10-13 19:29:21

回复 2# lodestar6666

谢谢

andyjackcao · 发表于 2011-10-19 20:53:34

P衬上衣外延N- 我怎么觉得应该可以做NPN呢 Latch up 不就可以寄生NPN管吗
根据现有的工艺，是可做做出NPN管的。但要做出性能比较好的NPN管，工艺的实现就会比较麻烦，那就不一定能做出来了

phase2000 · 发表于 2011-11-16 16:37:59

above answer both are correct . you know that band-gap usually use PNP , not use NPN. that is the reason.

iamshan · 发表于 2011-11-17 20:53:28

wafer衬底都是P型的至于做NPN还是PNP 就在衬底的基础上做阱是了关键还是掺杂等的设置

446749608 · 发表于 2011-12-10 23:03:37

CMOS工艺好像是浅结吧，结构都是在器件接近表面，双极工艺的结构更深，好像浓度要求也不一样，我是这样理解的

loopgain · 发表于 2011-12-12 16:54:23

可以。
只要寄生bipolar的增益足够小即可

larry06 · 发表于 2011-12-14 19:58:36

做Deep Nwell，然后PWell，N+，就是NPN啦

jeffcui18 · 发表于 2011-12-29 16:43:49

学习了，原来cmos结浅

[求助] P衬上可以做NPN吗