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[求助] 问两个工艺方面的问题~

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发表于 2011-9-26 20:09:06 | 显示全部楼层 |阅读模式

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1.怎样区分三种常用工艺(bipolar、CMOS、BiCMOS)?比如做反向提取时,怎样判断该芯片采用的什么工艺?(2个问题了)

2.双极工艺的基区注入、发射区注入与MOS工艺的P注入、N注入有什么区别?
发表于 2011-10-5 09:33:48 | 显示全部楼层
最后一个问题,其实离子注入都是一样的,双极的基区注入和发射区注入的分别是自己区的离子,用来行成基区和发射区,而MOS里面第一个注入的是用来做阱,第二次注入的就是S或者D,形成的是有源区。
发表于 2011-10-10 11:47:10 | 显示全部楼层
最后一个问题,其实离子注入都是一样的
发表于 2011-10-10 14:27:41 | 显示全部楼层
通过器件结构来区分
bipolar工艺一般没有多晶硅层,器件尺寸较大,器件间有明显的隔离槽
CMOS工艺的多晶硅栅特征明显
若有多晶硅又有NPN管结构则多为bicmos工艺。
另外做反向设计时通过芯片的datesheet中的电压电流等参数也可判断出大体工艺。
 楼主| 发表于 2011-10-10 14:52:47 | 显示全部楼层
回复 4# lodestar6666


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