请问工艺 WAT中的三个参数是啥意思？VTFpo_N+，VT_N4 N1u ，SPA_PO

czjkk · 发表于 2011-8-18 11:53:27

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VTFpo_N+
VT_N4 N1u 这个应该是阈值电压吧
SPA_PO ，SPA_M1

以上三个参数分别代表啥？最好能有参数的英文全称

czjkk · 发表于 2011-8-18 16:31:04

另，TSMC 0.13um LV 工艺中，PCM 参数的具体说明在哪边能找到？

athome1 · 发表于 2011-8-18 17:33:15

VTFpo_N+-->threshold voltage of N+ field device(poly field)
VT_N4 N1u -->threshold voltage of NMOS
SPA_PO ，SPA_M1 -->Spacing of poly;spacing of metal1

athome1 · 发表于 2011-8-18 20:14:00

请再详细解释一下 VTFpo_N+-->threshold voltage of N+ field device(poly field) 。N+ field device(poly field)是什么器
-->please see below WAT introduction
http://wenku.baidu.com/view/e126dc116c175f0e7cd137ae.html

athome1 · 发表于 2011-8-18 20:17:29

Foundry WAT data 最好不要放在网上..切记

82314272 · 发表于 2011-8-19 14:07:49

"对于TSMC 0.13um LV 1.5V/3.3V工艺，WAT测试数据是7V左右，这个要是阈值电压的话，不太靠谱吧。请看附件"
这个阈值有什么问题？你是觉得太大还是太小？一个寄生器件而已

czjkk · 发表于 2011-8-23 11:23:57

回复 4# athome1

N field device.jpg

对于 N field device 请问如图，为什么有 POLY出现在 STI上？这是种什么器件？这种器件通常有啥用途？

icfbicfb · 发表于 2011-8-28 18:59:17

PCM 参数在tsmc online上面可以下载的额，

timku2011 · 发表于 2011-8-28 19:04:59

回复 6# 82314272

是field器件，不是常规器件

athome1 · 发表于 2011-9-6 17:50:19

本帖最后由 athome1 于 2011-9-7 09:14 编辑

对于 N field device 请问如图，为什么有 POLY出现在 STI上？这是种什么器件？这种器件通常有啥用途？
Ans:
1.Poly 除了做 gate 之外,还会做绕线或做电阻的功能,那它就会跨STI(field oxide)
2. 是field器件，不是常规器件
3.最主要是作用为: Isolation 此 rule 与STI 底下的浓度;STI dimension;STI thickness 有绝对相关,当然　Vth 愈大愈好,isolation 比较好!

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