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[求助] 外延硅锗源漏极产生对沟道压应力的机理,求解释。

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发表于 2011-8-10 09:51:49 | 显示全部楼层 |阅读模式

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一般在文献里介绍只是说硅锗的晶格比硅的要大,所以会对沟道挤压,产生应力,但是原理是啥那?求解释。


晶格失配在接触面内引入的是本征应力,在源漏极下部与硅接触面由于晶格失配会产生对硅晶格的张应力,力方向为水平方向。而在与源极的侧面接触面同样会产生对硅的张应力,力方向为垂直方向。但是为啥会产生对沟道的压应力的,很疑惑,求解释。
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