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[原创] 请教各位大侠:在pad bonding时,下面哪种版图的画法会减小对pad下面电路的影响

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发表于 2011-11-29 13:00:30 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 rfid_sh 于 2011-11-29 13:30 编辑

请教各位大侠:在pad bonding时,下面哪种版图的画法会减小对pad下面电路的影响(如果从应力等方面考虑):
下面的做法:PAD on circuit,就是为了减小芯片的面积。

1.JPG

第一种画法:pad直接接到pmos和nmos的漏端。poly1以上没有其他层次覆盖,没有metal的支撑,直接接top metal(metal4)
2.JPG

2_1.JPG

第二种画法:pad先接到“回”字形的metal3,然后通过metal3接到pmos和nmos的漏端。想用metal3来做支撑,但metal3跨过了poly1
3.JPG

3_1.JPG

第三种画法:pad先接到覆盖整个mos管区的metal3,然后通过metal3接到pmos和nmos的漏端。用大面积metal3支撑,但metal3完全覆盖了poly1
4.JPG

4_1.JPG
发表于 2011-11-29 19:08:53 | 显示全部楼层
你说的这个 pad 是bond pad 这一层么?
一般bond pad是有点drc rule的,不是能完全自由画的

先讲下一般的CUP pad,
bond pad一般是通过 metal1/v1/m2/v2/m3/v3/m4的一个段接到 pad circuit的中段
, 这个是stagger的,然后可以in/out/in/out 循环交替成一个一个stagger pad,
这个位置和non-cup stagger不一样, non-cup stagger是在尾端,

如果是inline CUP ,就是接到pad circiut的尾端,和non-cup连接一样的,

你最好看个cup的库的layout,看完就知道了,

至于metal能不能穿过poly,我想问题不大吧,
问下layout的人,
发表于 2011-11-29 19:10:07 | 显示全部楼层
一般电路里面 , CUP还是用的很多的,

因为可以减小电容面积,而且pad下的电路被bondpad影响的可能性较小

但是对于高精度analog pad和RF pad,一般不建议用CUP
,因为会增加噪声, 因此analog 、rf pad都是inline  non-cup的,
 楼主| 发表于 2011-11-30 09:42:54 | 显示全部楼层
回复 2# icfbicfb


是bond pad。

谢谢版主的热心帮助!
发表于 2012-11-23 11:57:56 | 显示全部楼层
回复 1# rfid_sh


    你好请问下,最简单的bonding pad要怎么画?
使用金属去画一个pad 在io的外围么?
发表于 2012-11-23 16:07:25 | 显示全部楼层
回复 3# icfbicfb


    追问版主一句,这个bonging有cup,fc(这里面还分APRDL和MDRDL),wb,这些都是什么意思啊?
    因为找不到pdf文档,表示很糊涂啊,希望指点一二。
    非常感谢!
发表于 2017-5-27 17:19:55 | 显示全部楼层
谢谢热心帮助!
发表于 2024-9-13 15:54:02 | 显示全部楼层


icfbicfb 发表于 2011-11-29 19:10
一般电路里面 , CUP还是用的很多的,

因为可以减小电容面积,而且pad下的电路被bondpad影响的可能性较小


请教一下,CUP的pad设计应用在哪类芯片?wire bond封装的话pad pitch一般设计多少?
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