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查看: 6113|回复: 10

[求助] 关于高压器件的poly问题

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发表于 2011-8-9 14:04:43 | 显示全部楼层 |阅读模式

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小弟想问一下
在BCD中,像NJFET  高压LPNP之类的器件都会有一层poly
不知道这层Poly有什么作用
还望指点迷津
发表于 2011-8-9 15:51:33 | 显示全部楼层
luguo
发表于 2011-8-12 11:18:19 | 显示全部楼层
提高耐压
 楼主| 发表于 2011-8-13 08:12:02 | 显示全部楼层
回复 3# 82314272


  能具体解释一下吗
谢谢
发表于 2011-8-13 19:25:50 | 显示全部楼层
确定这个poly不是给BCD里的mos用的?
 楼主| 发表于 2011-8-14 13:42:15 | 显示全部楼层
回复 5# donaldz


    和普通的mos一样,poly的类型是相同的
发表于 2011-8-19 14:09:53 | 显示全部楼层
这层poly可以改版横向电场的分布,类似场板的作用,可以提高器件耐压特性。。。
 楼主| 发表于 2011-8-20 07:11:10 | 显示全部楼层
回复 7# 82314272


    具体再详细问一下啊
   是不是提高G D间的电压?加大G下面的耗尽区?
发表于 2011-8-23 21:05:47 | 显示全部楼层
过来学习
发表于 2011-8-24 16:00:41 | 显示全部楼层
学习学习!
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