LDO瞬态响应

liberal · 发表于 2011-7-15 21:52:20

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看了不少LDO的paper都拿1us跳变沿的负载电流来仿真瞬态响应特性，但是如果负载电路为数字电路，其跳变速度应该没有这么慢，为什么负载电流为ns级时间沿的LDO比较少见呢，其中有一篇JSSC的功耗也忒鹤立鸡群了。还劳烦高人不吝赐教，谢谢。

Area-Efficient Linear Regulator.pdf (759.6 KB, 下载次数: 778 )

refugee · 发表于 2011-7-15 22:48:14

因为做不出来啊。如果带宽只有数百KHz，那么你用1uS跳变还是用1nS跳变应该都是差不多的，除非你能设计出带宽在GHz的LDO，这样才能对nS级的负载要求做出及时的响应。
实际上，在带宽的之外的负载要求都只有负载电容作出响应

liberal · 发表于 2011-7-15 23:14:53

回复 2# refugee
1.您认为除非中所说的带宽采用现有的反馈机制能有如此宽带的放大器么？功耗较低的情况下。
2.如果是片上嵌入式应用情况下，负载电容较小不足以支持呢？
还请您指点，谢谢。

refugee · 发表于 2011-7-15 23:23:35

1.低功耗运放可以做到几百MHz就非常不错了，再者LDO不是简单的运放，他有Pass Device，充放电是需要时间的，而且至少有两个极点（当然也有单极点LDO）
2.这就是为什么capless的ldo只能小电流工作的原因了

liberal · 发表于 2011-7-16 00:28:55

回复 4# refugee

文献上看片上负载电容的LDO带宽也就在几个MHz的量级，“实际上，在带宽的之外的负载要求都只有负载电容作出响应”，这样儿，跳变很快的数字电路负载（ns级时间沿）对100pF的片上负载电容而言是否就勉为其难了？
文献中片上LDO在保证ripple较小的情况下能达到100mA的驱动就不错了，但大规模的数字负载其峰值电流可能也会超过100mA。

还请您多多指教，谢谢。

refugee · 发表于 2011-7-16 08:49:58

还是同样的理由，对于上升沿这种单个瞬态只需要电容响应就可以了，你可以算一下一个瞬间的上升沿会走多大的能量，从而就可以算出电容电压会下跌多少

mcchan · 发表于 2011-7-17 08:27:19

semico_ljj · 发表于 2011-7-17 11:06:43

nice...

liberal · 发表于 2011-7-17 12:50:43

回复 8# semico_ljj

How nice，发表点建设性意见哈~

zikelee · 发表于 2011-7-17 20:45:38

旁观一下，学习一下

[讨论] LDO瞬态响应

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