请教BIPOLAR工艺中的CAP层

rengd02 · 发表于 2011-6-26 12:17:24

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BIPOLAR工艺中有一个CAP层，是这样定义的。
This mask defines the MOS capacitor windows & P-type contact pre-etch area.

其中MOS capacitor windows比较容易理解，因为介质是Si3N4，而Si3N4是不能直接淀积在Si上的，所以首先要生长薄氧化层；这样，在光刻电容层的时候，首先把这个区域要刻蚀出来，然后快速生长薄氧然后淀积Si3N4。最后得到MOS电容的介质层。

问题是为什么CAP层又定义了基区接触孔的预刻蚀呢？难道是因为在基区氧化层的生长快，为了保证在后面的基区接触孔刻蚀中能够刻透氧化层，所以干脆先来个预刻？
但是如果这样的话，岂不是要在预刻蚀的区域生长薄氧和淀积Si3N4，之后要打开基区接触孔难道就没有难度了吗？这个时候除了CAP层以外的地方都是二氧化硅，唯独在基区接触孔这里有Si3N4和薄氧，要打开这个窗口似乎不是太难的问题啊。

还请高手帮忙，我都不知道我说得对不对了

abe_00 · 发表于 2011-6-29 00:16:56

为了减小台阶。
基区上面的二氧化硅比发射区上面的二氧化硅要厚，所以需要减薄。

rengd02 · 发表于 2011-6-29 11:56:45

回复 2# abe_00

减小台阶，这个有道理。呵呵。谢谢楼上的

suk.qi · 发表于 2011-7-6 14:06:34

学习了，

chenxiaoming · 发表于 2011-9-18 11:13:22

3楼正解

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