ICC中两行ROW之间的距离问题

alphavor_jay · 发表于 2011-6-20 13:43:18

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

×

请教各位，在icc里碰到两行row之间靠的太近（默认的应该是两行之间距离是0），导致上面一行中cell与电源的contact和下面一行中cell与电源的contact靠的太近而产生DRC错误，怎么消除这种错误呢？我想应该可以加宽电源带从而使得上一行与下一行之间拉开一定距离，但是在ICC里没有试验成功，恳请各位大侠帮忙指点，多谢！

ttder · 发表于 2011-6-20 13:50:45

你是不是选错了，应该用back to back的row吧？

yueluofenghen · 发表于 2011-6-20 14:46:31

楼上正解。不选back to back也不是不行（我没见过不是背靠背的。。。。），不过像你这样应该还有其他设置不对。

alphavor_jay · 发表于 2011-6-20 14:58:10

恩我设置的是double back，所以两行ROW之间是紧挨着的，上面一行和下面一行公用VDD或者GND，所以产生了类似上面一行的VDD CONTACT和下面一行的VDD CONTACT靠的太近的情况。我现在就是想把两行ROW之间共用的这个部分加宽，使得上下两ROW间的VDD CONTACT 距离增大，但是一直都没试出来，把initilize_floorplan的row/core ratio改小以后也不行，所以请教各位大侠看具体应该怎么做。。。

yueluofenghen · 发表于 2011-6-20 15:00:11

不明白你为什么非要这么用。。。有什么特殊考虑么？

yueluofenghen · 发表于 2011-6-20 15:02:30

上面一行和下面一行公用VDD或者GND，所以产生了类似上面一行的VDD CONTACT和下面一行的VDD CONTACT靠的太近的情况
这句话说实话我没看懂。。。前后矛盾啊。。。。

yueluofenghen · 发表于 2011-6-20 15:05:48

明白了，你去看看你tf里的unit height和你看到的std cell（pr boundary）的是不是不一致

paulszicc · 发表于 2011-6-20 17:11:22

lib有问题，改lib吧，合理的lib不会有这个问题啊

alphavor_jay · 发表于 2011-6-20 17:18:43

回复 8# paulszicc

请问是让让foundry提供新的库吗？

lz1920 · 发表于 2011-6-23 13:13:52

你用的莫非是ARM提供的40nm的library?如果是的话,你在 preroute standard cell的时候,先把advance rule选上allow shared vias above this layer,然后选你via变大的那一层,比如你是1P9M的工艺,可能在VIA8和VIA7的时候,大小比VIA6以下的大很多，这个时候你应该要选的layer就是M7.具体的你看你的该怎么选择才能打得上.

到目前为只,我也只看到ARM 40的stdcell library会出现这样的情况.

账号		自动登录	找回密码
密码			注册

[求助] ICC中两行ROW之间的距离问题

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

相关帖子

浏览过的版块

站长推荐 /3