LDO/bandgap 问题 - Die-toDie 偏差的原因

demonhunter

运放offset如何计算？
MC没model支持。

gy118

回复 9# KeepEasy


    掩模板确定了，但是光刻到wafer上也会造成尺寸的随机误差，尺寸比较小的话这种误差可能是比较大的。还有同一wafer上不同地方的MOS和电阻的掺杂浓度也会不一样啊，MOS的特性，电阻的阻值自然就不一样了。offset的计算，版上搜一下，或者RAZAVI, SANSEN的书上都有讲的

when3595023

回复  KeepEasy


    掩模板确定了，但是光刻到wafer上也会造成尺寸的随机误差，尺寸比较小的话这种误 ...
gy118 发表于 2011-6-16 08:59

                               
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    应该说用一个模子印出来的饺子会一样吗

papadin

什么是 die to die 偏差。。。。

gy118

回复 13# when3595023


    经典

ryanbowen40

die to die偏差10%是有可能的啊，如果没有跑蒙特卡洛分析，fountry只保证3个sigma的偏差

muyu0786

掩模板是保证在哪里做操作（注入、扩散、光刻），但这些步骤都会带来误差，注入的粒子束不一样，光刻的尺寸不一样等等。

永远不加班

楼上说的对。offset这东西很难搞。如果出来偏差大。要仔细看分布情况。如果是双峰分布，很有可能有硬伤。比如设计失误或者工艺错误。这些问题好找原因，好坏片子对比就可以分析出来。如果是正态分布，就是偏差大，不好整。基本可以定义为失调引起的重点部分一点点分析才行

samuelyou

首先确认BG的分布，然后再看环路增益和失调，多半是BG的问题，LS很多意见值得参考，多测多分析，自然清晰。工艺模型支持，跑monte carlo！

soldierxfm

如此大的差异，不太可能是mismatch ,怀疑是不是有mos 不在饱和区阿？！或者版图有错？!