LDO/bandgap 问题 - Die-toDie 偏差的原因

KeepEasy · 发表于 2014-7-1 14:53:51

回复 30# hvpower

记错了，是从 200u 改成 20u，可能还是电阻影响 die-to-die 偏差吧

novatmay · 发表于 2014-7-1 17:17:19

怀疑是电路设计有问题，你确认每个管子都在饱和区（在各种极端情况下）？

bigbigbird · 发表于 2014-7-2 01:50:52

nmos來說的話gm要很大=> W/L要大
pmos gm要很小=> W/L 要小
如果一來mismatch才會小
這個架構在tsmc 0.13um製程電流可設計在5uA以下沒問題

sqnnzhu · 发表于 2014-7-2 06:33:22

现在的工艺，只要尺寸不是太小，尺寸控制还是比较精确。
mismatch的主要来源还是参杂等引起的vth不同。BG比 ...
longqingshan 发表于 2013-7-22 23:10

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同意楼上

kokokiki · 发表于 2014-7-3 10:27:52

回复 33# bigbigbird

依過往的經驗都是1u~2uA,5uA還是大了一點。

fhyfbjl · 发表于 2014-7-6 22:07:20

回复 hvpower

记错了，是从 200u 改成 20u，可能还是电阻影响 die-to-die 偏差吧
KeepEasy 发表于 2014-7-1 14:53

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我设计2A的LDO，整个芯片的静态电流也不到100uA，想不到你一个BG三极管就给200uA，这样的产品有市场吗？？？

mouseyyh · 发表于 2014-7-11 17:25:34

最大可能是VBG偏差太大，VBG是否采用啦运放？如果有，仔细考虑如何减小offset

semico_ljj · 发表于 2014-7-12 12:20:38

seeing...

incol · 发表于 2014-7-12 15:24:04

也可能是工艺问题

kakool · 发表于 2014-7-13 21:51:54

10%很正常啊，已经不错了

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