LDO/bandgap 问题 - Die-toDie 偏差的原因

apac · 发表于 2014-8-11 17:27:05

應該是OP的offset造成的吧, chopper應該可以改善

baby02204270 · 发表于 2014-9-2 17:06:55

wafer上位置不同，性能当然有差异
差这么多，电路本身的offset大，跑monte_carlo

yuyingdugu · 发表于 2015-5-29 09:25:18

回复 3# gy118

同一wafer，die to die 一般偏差多大，同一批次的，die to die 或者wafer to wafer 偏差多大？

bright_pan · 发表于 2015-6-1 14:32:44

回复 43# yuyingdugu

这个是完全看工艺的，你可以试试把你的OP的几个重要的MOS管，L的size增大5%或者降低5%试试。
一般如果你用了最小L, 在40nm工艺，差个4nm很有可能，即便同一片wafer上。

goto1tw · 发表于 2015-6-1 18:20:22

謝謝分享

jalong · 发表于 2015-6-23 21:19:32

offset太大以及layout沒有match造成

[讨论] LDO/bandgap 问题 - Die-toDie 偏差的原因