LDO 设计一个很奇怪的问题

wind2000sp3 · 发表于 2011-3-25 17:19:01

我个人觉得是Power MOS的model提得不准确，尤其是在小电流的情况下，Power MOS的行为是个增益反向放大级，MOS管工作在深度饱和区或者说是亚阈值区；而在大电流的情况下，Power MOS的行为是个功率开关，MOS管工作在线性区。
我觉得需要用VerilogA或者Matlab对MOS管进行建模。

guang3000 · 发表于 2011-3-25 19:03:06

在reverse别人芯片的时候，有没考虑过对方所用工艺的档次是国内或者台湾厂。

例如同样是国外的charter 和 umc的0.35um工艺，我都觉得性能和工艺角变化差好多，

同样的VCO一个仿真出来是40%，另外一个是70%。

有没考虑过用国内和国外不同档次的工艺去仿真一下这个LDO 的稳定性呢？

liuxufeishuang · 发表于 2011-3-25 19:57:18

估计相位裕度太低了！

semico_ljj · 发表于 2011-3-26 17:20:10

我觉得有图才有真相，其实原理简单，就是仿真方式可能有问题

BlackAnalog · 发表于 2022-5-27 11:51:12

DUTLF · 发表于 2022-8-8 11:18:42

我觉得最大的可能是主极点在输出端，你把主极点当成内部在补偿，比如米勒补偿，这样会补偿是左移次极点，外移主极点，是会恶化PM的

印度揩油僧 · 发表于 2024-7-1 17:46:35

这个数据是前仿还是后仿呢？

tanei · 发表于 2025-5-15 14:17:33

电路呢？

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